公开(公告)号：CN113093408A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110382361.7

申请日：2021-04-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 王俊嘉 ,  缪庭 ,  孙小菡 ,  董纳 ,  樊鹤红 ,  柏宁丰 ,  刘旭 ,  沈长圣

IPC: G02F1/025

Abstract: 本发明公开发明了基于高纵横比波导的二维材料电光调制器。自下而上依次包括衬底层、硅光波导、电介质填充层、第一二维材料层、第二二维材料层，还包括第一金属层、第二金属层。第一金属层与第二金属层分别沉积在第一二维材料层上方靠右侧和第二二维材料层上方靠左侧。第一二维材料层与第二二维材料层仅在硅光波导上方重叠，以增强二维材料与光的相互作用，用来提高调制效率和速率。硅光波导使用波导宽度远超厚度的高纵横比几何结构，通过遏制侧壁色散使平面波导损耗最小化，并在对二维材料的耦合效果以及相位调制幅度等方面较传统二维材料调制器有极大提高。

公开(公告)号：CN113093409A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110383230.0

申请日：2021-04-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 王俊嘉 ,  缪庭 ,  孙小菡 ,  董纳 ,  樊鹤红 ,  柏宁丰 ,  刘旭 ,  沈长圣

IPC: G02F1/025

Abstract: 本发明公开了一种基于连续介质束缚态的二维材料电光调制器，由下而上依次包括衬底层、硅光波导、电介质填充层、第一二维材料层、第二二维材料层、高分子聚合物限制层，还包括第一金属层、第二金属层。其中，高分子聚合物限制层位于硅光波导中央位置上方，用来限制硅光波导层中的光波传输。第一金属层与第二金属层分别沉积在第一二维材料层上方靠右侧和第二二维材料层上方靠左侧，第一二维材料层与第二二维材料层仅在高分子聚合物限制层下方重叠，以增强二维材料与光的相互作用，用来提高调制效率和速率。该器件极大简化调制器制作流程，并在对二维材料的耦合效果以及调制效率等方面较传统调制器有较大提高。