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公开(公告)号：CN111796624B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010733510.5
申请日：2020-07-27
申请人： 东南大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种超高电源纹波抑制比CMOS电压基准电路，所述基准电路包括第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)、第六晶体管(M6)、第七晶体管(M7)；其中，第六晶体管(M6)、第七晶体管(M7)构成传统的二晶体管电压基准结构，第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)构成反馈结构，用于优化电压基准电路的性能参数；在二晶体管CMOS电压基准电路的漏极串联两个本征MOS管，并通过引入负反馈回路，使得二晶体管CMOS的漏极为低阻态，优化电路的电源纹波抑制比和线性灵敏度。电路的结构简单，因此可以在相对较低的电源电压下工作，并且MOS管工作在亚阈值区，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN111879999B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010762532.4
申请日：2020-07-31
申请人： 东南大学
IPC分类号： G01R19/32
摘要： 本发明公开了应用于能量采集领域的一种低温度系数快速电压检测电路，该电压检测电路包括CTAT偏置电路、正反馈偏置电路和电压检测电路；供电电压即输入信号端(Vin)，电路整体输出信号端(Vout)；CTAT偏置电路的输出端(Vbias)接电压检测电路的输入端，电压检测电路的输出端即电路整体输出信号端(Vout)与正反馈偏置电路的输入端相连。电压检测电路由两个cascode MOS管构成，当上拉网络电流和下拉网络电流相等时，达到检测电压。通过CTAT基准电路为电压检测电路的上检测管提供偏置，从而降低了温度对检测电压值的影响。通过正反馈偏置电路为电压检测电路的下检测管提供偏置，当达到检测电压时通过反馈网络减小下拉网络的电流，从而加快输出端触发信号的建立。
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公开(公告)号：CN111010151B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201911280483.4
申请日：2019-12-13
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03K5/00
摘要： 本发明公开了一种基于深阱MOS管的超低电压冷启动振荡器延迟单元，包括：采用深阱工艺制成的PMOS管M1、M3、M5及NMOS管M2、M4、M6，其中将M1和M2的衬底，M3和M4的衬底，M5和M6的衬底分别相连，且将延迟单元的信号输入端Vin连接至各PMOS管和NMOS管的衬底；M1和M2的栅极，M3和M4的栅极，M5和M6的栅极分别相连后连接至延迟单元的信号输入端Vin，M1的漏极与M2的漏极相连并作为公共漏极X端口，且M1的源极连接供电电源，M2的源极接地。本发明保证了低输入电源电压下，提高了延迟单元的输出电压摆幅，增大了延迟单元的直流增益，可实现更低的电源电压下产生振荡。
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公开(公告)号：CN111879999A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010762532.4
申请日：2020-07-31
申请人： 东南大学
IPC分类号： G01R19/32
摘要： 本发明公开了应用于能量采集领域的一种低温度系数快速电压检测电路，该电压检测电路包括CTAT偏置电路、正反馈偏置电路和电压检测电路；供电电压即输入信号端(Vin)，电路整体输出信号端(Vout)；CTAT偏置电路的输出端(Vbias)接电压检测电路的输入端，电压检测电路的输出端即电路整体输出信号端(Vout)与正反馈偏置电路的输入端相连。电压检测电路由两个cascode MOS管构成，当上拉网络电流和下拉网络电流相等时，达到检测电压。通过CTAT基准电路为电压检测电路的上检测管提供偏置，从而降低了温度对检测电压值的影响。通过正反馈偏置电路为电压检测电路的下检测管提供偏置，当达到检测电压时通过反馈网络减小下拉网络的电流，从而加快输出端触发信号的建立。
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公开(公告)号：CN111525791B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010293922.1
申请日：2020-04-15
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开了一种低电压高转化效率电荷泵电路，通过调整传统交叉耦合电荷泵的四个MOS管各自的栅压时钟信号以减小泄漏电流和导通损耗，首先增加两个辅助电容和两个辅助时钟来产生驱动NMOS管的时钟从而避免电荷泵时钟交叠时引起的泄漏电流，其次增加两个反相器并改变反相器的最高电压和最低电压来实现高摆幅的驱动时钟去驱动PMOS管以减小导通损耗。从而使电荷泵电路可以工作在更低的电压下，同时得到更高的功率转换效率。
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公开(公告)号：CN110879625B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201911280123.4
申请日：2019-12-13
申请人： 东南大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种超低线性灵敏度的CMOS电压基准电路，包括：第一本征NMOS管M1、第二本征NMOS管M2、标准NMOS管M3，其中输入信号VDD与第一本征NMOS管M1的漏极相连，第一本征NMOS管M1的栅极分别与标准NMOS管M3的栅极和漏极相连，且标准NMOS管M3的漏极与输出基准电压VREF相连，以及第一本征NMOS管M1的源极与第二本征NMOS管M2的漏极相连；第二本征NMOS管M2的栅极与地信号GND相连，且第二本征NMOS管M2的源极分别与标准NMOS管M3的漏极和输出基准电压VREF相连；标准NMOS管M3的源极与地信号GND相连。本发明可以有效的降低电压基准的线性灵敏度，从而抑制由于电源电压对电压基准所造成的影响，同时可以减小芯片面积从而节约电路成本。
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公开(公告)号：CN112542956A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011441188.5
申请日：2020-12-08
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种宽动态范围的自偏置差分驱动整流器电路。所述差分驱动整流器电路由第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第一PMOS管(M3)、第二PMOS管(M4)组成差分驱动整流器、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)组成的特殊结构的二极管构成；输入信号为RF+和RF‑通过第一电容(C1)、第二电容(C2)接差分驱动整流器的输入端，差分驱动整流器的输出端接并联的第一二极管(D1)、第二二极管(D2)，第一二极管(D1)、第二二极管(D2)的输出端为输出信号Vout。通过二极管从输出端口引入反馈，以此来给差分驱动整流器的输出PMOS的栅极提供偏置，控制其栅级电压。在高输入功率的情况下，有效降低差分驱动整流器的反向电流，拓宽差分驱动整流器电路高效率输出的动态范围。
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公开(公告)号：CN113805635B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202111072369.X
申请日：2021-09-14
申请人： 东南大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源，该电流基准源包括第一场效应管(M1)、第二场效应管(M2)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)、第五场效应管(M5)、第六场效应管(M6)、第七场效应管(M7)；此电流基准源为全MOS管结构，可提供皮安(pA)级的低温度系数基准电流，功耗限制在110pW左右，利用MOS管的栅极泄露替代了传统电流基准源中的大电阻，减小了电路面积，同时向2T偏置结构注入与工艺相关的偏置电压，通过同类型管，产生稳定的ΔVTH，使得该电流源无需修调电路，便可使基准电流大小对工艺失配不敏感，同时在各个工艺角下取得低温度系数。
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公开(公告)号：CN111796625B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010733523.2
申请日：2020-07-27
申请人： 东南大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种具有超低功耗的CMOS电压基准电路，通过对传统单条支路串联MOS管产生的ΔVTH变换形式为两条支路产生，即通过电流镜复制电流，从而实现两种阈值管的阈值电压相减产生一个负温度系数电压，再与一个正温度系数电压相加实现对输出电压的一阶和二阶温度系数补偿，得到温度特性较好的基准电压。通过增加并联的输出MOS管也实现了trimming的过程，电路可以工作在不同的PVT条件下仍能输出稳定。同时设计电路中关键管的宽长比W/L小于1，极大的降低了静态电流，并且除电流镜MOS管外，所有的MOS管都工作在亚阈值区，进一步降低了功耗，采用单级差分运放可以有效节省芯片面积。
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公开(公告)号：CN113805635A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111072369.X
申请日：2021-09-14
申请人： 东南大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源，该电流基准源包括第一场效应管(M1)、第二场效应管(M2)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)、第五场效应管(M5)、第六场效应管(M6)、第七场效应管(M7)；此电流基准源为全MOS管结构，可提供皮安(pA)级的低温度系数基准电流，功耗限制在110pW左右，利用MOS管的栅极泄露替代了传统电流基准源中的大电阻，减小了电路面积，同时向2T偏置结构注入与工艺相关的偏置电压，通过同类型管，产生稳定的ΔVTH，使得该电流源无需修调电路，便可使基准电流大小对工艺失配不敏感，同时在各个工艺角下取得低温度系数。
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