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公开(公告)号：CN118520824A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410426172.9
申请日：2024-04-10
Applicant: 东南大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 本发明公开了一种基于MXene‑TMDs异质结的二维FET模型的构建方法，包括以下步骤：选取不同组分分别构建TMDs、MXene的模型；计算TMDs、MXene模型的功函数并筛选欧姆接触的组成；构建MXene‑TMDs范德华异质结并探索对应的电子性质和界面接触等性质；筛选出热力学稳定、纵向欧姆接触和隧穿势垒较小的异质结；基于异质结构建二维场效应晶体管器件模型，包含电子输运性质，如零偏压传输谱、PLDOS以及接触电阻，从而筛选最优的二维FET器件模型。本发明利用MXene与TMDs之间的范德华作用，在保证欧姆接触的同时获得更小的隧穿势垒、更高的载流子注入效率，实现更低接触电阻的二维FET器件。
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