公开(公告)号：CN112861303B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202011277601.9

申请日：2020-11-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 王梦 ,  李少晗 ,  孙维威 ,  于金 ,  李慧

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/18

Abstract: 本发明公开了一种预测低维MXenes可合成性的理论方法。属于低维材料性质模拟计算领域，该方法首先通过建模软件构建多种MAX相模型，然后运用VASP软件进行结构优化和静态自洽计算，得到每个系统的能量值和电子结构数据，接着从两个角度定义剥离能，并以剥离能从理论上待预测MAX材料的剥离难度。最后运用VASP软件进行非静态自洽计算，绘制体系的态密度图和电荷密度图，分析材料属性和成键强度，筛选出理论上可合成的低维MXenes组成。本发明避免了传统的实验试错法，为低维MXenes材料合成的可能性提供了理论预测方法，有效地缩短了研发周期和成本。

公开(公告)号：CN118520824A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410426172.9

申请日：2024-04-10

Applicant: 东南大学

Inventor： 郑奇 ,  孙维威 ,  王思薇 ,  魏良宇 ,  于金

IPC: G06F30/3308

Abstract: 本发明公开了一种基于MXene‑TMDs异质结的二维FET模型的构建方法，包括以下步骤：选取不同组分分别构建TMDs、MXene的模型；计算TMDs、MXene模型的功函数并筛选欧姆接触的组成；构建MXene‑TMDs范德华异质结并探索对应的电子性质和界面接触等性质；筛选出热力学稳定、纵向欧姆接触和隧穿势垒较小的异质结；基于异质结构建二维场效应晶体管器件模型，包含电子输运性质，如零偏压传输谱、PLDOS以及接触电阻，从而筛选最优的二维FET器件模型。本发明利用MXene与TMDs之间的范德华作用，在保证欧姆接触的同时获得更小的隧穿势垒、更高的载流子注入效率，实现更低接触电阻的二维FET器件。

公开(公告)号：CN112861303A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011277601.9

申请日：2020-11-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 王梦 ,  李少晗 ,  孙维威 ,  于金 ,  李慧

IPC: G06F30/20 ,  G06F119/18

Abstract: 本发明公开了一种预测低维MXenes可合成性的理论方法。属于低维材料性质模拟计算领域，该方法首先通过建模软件构建多种MAX相模型，然后运用VASP软件进行结构优化和静态自洽计算，得到每个系统的能量值和电子结构数据，接着从两个角度定义剥离能，并以剥离能从理论上待预测MAX材料的剥离难度。最后运用VASP软件进行非静态自洽计算，绘制体系的态密度图和电荷密度图，分析材料属性和成键强度，筛选出理论上可合成的低维MXenes组成。本发明避免了传统的实验试错法，为低维MXenes材料合成的可能性提供了理论预测方法，有效地缩短了研发周期和成本。