公开(公告)号：CN102307001A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110242927.2

申请日：2011-08-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  钱钦松 ,  毛宁 ,  刘少鹏 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02M1/08

Abstract: 本发明提供一种可抗共模电源噪声干扰的高压栅驱动电路模块，主要包括抗共模电源噪声干扰电路，高压电平移位电路，脉冲滤波电路，RS触发器，输出驱动电路，其中抗共模电源噪声干扰电路可以把由电源信号波动而在电平移位电路输出端产生的共模噪声脉冲宽度减小，高压电平移位电路主要用来将低压的输入脉冲信号转换成高压脉冲信号，脉冲滤波电路用来把电平移位电路输出的脉冲信号中一定宽度以下的干扰脉冲信号都滤除掉，只留下正常工作的脉冲信号。抗共模电源噪声干扰电路由简单的电阻、电容、齐纳二极管、场效应管组成，可以用很少的电路元件来有效的避免电源信号波动产生的共模电源噪声信号通过高压栅驱动电路对功率管造成的误触发。

公开(公告)号：CN101819993B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010146507.X

申请日：2010-04-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  毛宁 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06

Abstract: 一种降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层上设有P型阱和N阱区，在P型阱上设有P型缓冲阱，在P型缓冲阱上设有N型阳区，在N阱区上设有P型阴区和N型体接触区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在N阱区的下部、埋氧之上设有N型埋层，且插入N型外延层一部分，与N阱区整体构成反向的“L”型N区，这种结构可以将器件的电子电流引向底部，降低了器件沟道区的离子产生率和纵向电场，同时降低了热电子的温度，从而有效抑制了器件的热载流子效应。

公开(公告)号：CN101819993A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010146507.X

申请日：2010-04-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  毛宁 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06

Abstract: 一种降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层上设有P型阱和N阱区，在P型阱上设有P型缓冲阱，在P型缓冲阱上设有N型阳区，在N阱区上设有P型阴区和N型体接触区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在N阱区的下部、埋氧之上设有N型埋层，且插入N型外延层一部分，与N阱区整体构成反向的“L”型N区，这种结构可以将器件的电子电流引向底部，降低了器件沟道区的离子产生率和纵向电场，同时降低了热电子的温度，从而有效抑制了器件的热载流子效应。

公开(公告)号：CN202260990U

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201120308539.5

申请日：2011-08-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  钱钦松 ,  毛宁 ,  刘少鹏 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02M1/08

Abstract: 本实用新型提供一种可抗共模电源噪声干扰的高压栅驱动电路模块，主要包括抗共模电源噪声干扰电路，高压电平移位电路，脉冲滤波电路，RS触发器，输出驱动电路，其中抗共模电源噪声干扰电路可以把由电源信号波动而在电平移位电路输出端产生的共模噪声脉冲宽度减小，高压电平移位电路主要用来将低压的输入脉冲信号转换成高压脉冲信号，脉冲滤波电路用来把电平移位电路输出的脉冲信号中一定宽度以下的干扰脉冲信号都滤除掉，只留下正常工作的脉冲信号。抗共模电源噪声干扰电路由简单的电阻、电容、齐纳二极管、场效应管组成，可以用很少的电路元件来有效的避免电源信号波动产生的共模电源噪声信号通过高压栅驱动电路对功率管造成的误触发。

公开(公告)号：CN201638820U

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201020164742.5

申请日：2010-04-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  毛宁 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331

Abstract: 一种降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层上设有P型阱和N阱区，在P型阱上设有P型缓冲阱，在P型缓冲阱上设有N型阳区，在N阱区上设有P型阴区和N型体接触区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在N阱区的下部、埋氧之上设有N型埋层，且插入N型外延层一部分，与N阱区整体构成反向的“L”型N区，这种结构可以将器件的电子电流引向底部，降低了器件沟道区的离子产生率和纵向电场，同时降低了热电子的温度，从而有效抑制了器件的热载流子效应。