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公开(公告)号：CN102079978B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201010588938.1
申请日：2010-12-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及量子点纳米材料的制备方法及其表面包覆二氧化硅的方法。所述量子点纳米材料的制备方法包括以下步骤：(1)制备ZnSe量子点；(2)取(1)中的ZnSe量子点，加入油胺、十八碳烯，在氩气气氛下，加热到120℃，注入MnSt2/ODE，稳定后升温到270-280℃，停留5-6分钟，注入Se/TBP并在此温度下停留5-6分钟，注入ZnSt2/ODE，反应20-25分钟，得到量子点纳米材料。在所述制备方法所得量子点纳米材料表面包覆二氧化硅的方法包括以下步骤：(1)将纯化的量子点纳米材料溶于正己烷，用巯基丙酸转水，得到量子点水溶液；(2)在3-氨丙基三乙氧基硅烷中加入量子点水溶液，搅拌均匀，反应形成溶胶。
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公开(公告)号：CN102612189A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210048826.6
申请日：2012-02-29
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种硅凝胶包覆掺杂半导体量子点的薄膜电致发光器件制备方法。所述薄膜电致发光器件包括依次设置的ITO导电玻璃层、第一绝缘层、发光层、第二绝缘层、金属Al电极。所述发光层为SiO2凝胶包覆的掺杂半导体量子点，采用硅凝胶包覆掺杂半导体量子点制备发光层可以提高发光层的致密程度，有效增强发光层的抗击穿能力，延长薄膜电致发光器件的使用寿命，提高发光效率。同时在以硅凝胶包覆掺杂半导体量子点为发光层的薄膜电致发光器件制备中，控制发光层的厚度也变得相对容易。同时通过本方法可以实现不同发光的薄膜电致发光器件。本发明还提供了该器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN102079978A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010588938.1
申请日：2010-12-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及量子点纳米材料的制备方法及其表面包覆二氧化硅的方法。所述量子点纳米材料的制备方法包括以下步骤：(1)制备ZnSe量子点；(2)取(1)中的ZnSe量子点，加入油胺、十八碳烯，在氩气气氛下，加热到120℃，注入MnSt2/ODE，稳定后升温到270-280℃，停留5-6分钟，注入Se/TBP并在此温度下停留5-6分钟，注入ZnSt2/ODE，反应20-25分钟，得到量子点纳米材料。在所述制备方法所得量子点纳米材料表面包覆二氧化硅的方法包括以下步骤：(1)将纯化的量子点纳米材料溶于正己烷，用巯基丙酸转水，得到量子点水溶液；(2)在3-氨丙基三乙氧基硅烷中加入量子点水溶液，搅拌均匀，反应形成溶胶。
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公开(公告)号：CN202503028U
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201220069810.9
申请日：2012-02-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/06
Abstract: 本实用新型涉及一种硅凝胶包覆掺杂半导体量子点的薄膜电致发光器件。所述薄膜电致发光器件包括依次设置的ITO导电玻璃层、第一绝缘层、发光层、第二绝缘层、金属Al电极。所述发光层为SiO2凝胶包覆的掺杂半导体量子点，采用硅凝胶包覆掺杂半导体量子点制备发光层可以提高发光层的致密程度，有效增强发光层的抗击穿能力，延长薄膜电致发光器件的使用寿命，提高发光效率。同时在以硅凝胶包覆掺杂半导体量子点为发光层的薄膜电致发光器件制备中，控制发光层的厚度也变得相对容易。同时通过本方法可以实现不同发光的薄膜电致发光器件。本实用新型还提供了该器件的制备方法。
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