公开(公告)号：CN103078596A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210589611.5

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  杨仲盼 ,  李红 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26

Abstract: 本发明公开了一种全差分低功耗低噪声放大器，该放大器包含共源级放大器和共栅级放大器。其中，共源级放大器包括第一和第二N型金属氧化物晶体管、第一和第二P型金属氧化物晶体管、第一电阻、第二电阻、第五至第八电阻、第一至第五电容；共栅级放大器包括第三和第四P型金属氧化物晶体管、第三和第四电阻。该结构的低噪声放大器对N型金属氧化物晶体管和P型金属氧化物晶体管的静态偏置电流进行复用，同时这种结构也具有噪声抵消的功能。因此，该结构的低噪声放大器具有低功耗和低噪声系数的功能。

公开(公告)号：CN103151996B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201310066135.3

申请日：2013-03-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  徐哲 ,  李红 ,  陈超 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  杨仲盼

IPC: H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种可重构滤波器，包括滤波模块、频谱搬移阵列网络、模式切换模块，其中，频谱搬移阵列网络对滤波模块输出信号进行线性频率移动，模式切换模块用于调整滤波模块与频谱搬移阵列网络的连接方式，实现低通滤波器与复数带通滤波器间的切换，滤波模块通过模式切换模块与频谱搬移阵列网络连接。本发明不仅满足低功耗射频系统的对功耗的要求，同时有效的减小了芯片面积从而节约电路成本；并且能适应低电压低功耗的设计要求；能够根据系统要求随时调节增益与中心频率。

公开(公告)号：CN103076836B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201210590969.X

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  陈超 ,  薛晨辉 ,  杨仲盼 ,  刘智林 ,  李红

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种低电源电压CMOS恒定电压源电路，包括第一级启动电路，第一级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路，第二级启动电路，第二级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路以及支路电流相减电路，利用支路电流相减电路的输出电流，通过负载电阻实现低温度系数的输出电压。本发明不含双极型器件，在低电源电压的环境下产生了具有低温度系数的参考电压。

公开(公告)号：CN103346741A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310326221.3

申请日：2013-07-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  杨仲盼 ,  薛晨辉 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/26

Abstract: 本发明公开了一种双路噪声抵消电流复用低噪声放大器，包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第三电阻、第四电阻、第四电容、第五电容；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管、第二电阻、第六电容；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二电容、第一电阻。该结构的低噪声放大器具有双路噪声抵消的功能，具有低噪声系数和低功耗的功能。

公开(公告)号：CN103151996A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310066135.3

申请日：2013-03-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  徐哲 ,  李红 ,  陈超 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  杨仲盼

IPC: H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种可重构滤波器，包括滤波模块、频谱搬移阵列网络、模式切换模块，其中，频谱搬移阵列网络对滤波模块输出信号进行线性频率移动，模式切换模块用于调整滤波模块与频谱搬移阵列网络的连接方式，实现低通滤波器与复数带通滤波器间的切换，滤波模块通过模式切换模块与频谱搬移阵列网络连接。本发明不仅满足低功耗射频系统的对功耗的要求，同时有效的减小了芯片面积从而节约电路成本；并且能适应低电压低功耗的设计要求；能够根据系统要求随时调节增益与中心频率。

公开(公告)号：CN103076836A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210590969.X

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  陈超 ,  薛晨辉 ,  杨仲盼 ,  刘智林 ,  李红

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明公开了一种低电源电压CMOS恒定电压源电路，包括第一级启动电路，第一级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路，第二级启动电路，第二级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路以及支路电流相减电路，利用支路电流相减电路的输出电流，通过负载电阻实现低温度系数的输出电压。本发明不含双极型器件，在低电源电压的环境下产生了具有低温度系数的参考电压。

公开(公告)号：CN103078596B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210589611.5

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  杨仲盼 ,  李红 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26

Abstract: 本发明公开了一种全差分低功耗低噪声放大器，该放大器包含共源级放大器和共栅级放大器。其中，共源级放大器包括第一和第二N型金属氧化物晶体管、第一和第二P型金属氧化物晶体管、第一电阻、第二电阻、第五至第八电阻、第一至第五电容；共栅级放大器包括第三和第四P型金属氧化物晶体管、第三和第四电阻。该结构的低噪声放大器对N型金属氧化物晶体管和P型金属氧化物晶体管的静态偏置电流进行复用，同时这种结构也具有噪声抵消的功能。因此，该结构的低噪声放大器具有低功耗和低噪声系数的功能。

公开(公告)号：CN103107791A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210590866.3

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  尹海峰 ,  李红 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  徐哲 ,  杨仲盼

IPC: H03G3/30

Abstract: 本发明公开了一种带宽恒定的增益线性可变增益放大器，该可变增益放大器包含共源级放大器和增益调节网络；共源级放大器包括第一N型金属氧化物晶体管、第五N型金属氧化物晶体管、第一P型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管和第一电流源；增益调节网络包括第二至第八N型金属氧化物晶体管、第二至第十电流源和第一至第十五开关。该结构的放大器具有带宽恒定的特点，同时通过不同的控制字，能够使增益达到精确的线性效果。

公开(公告)号：CN103346741B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310326221.3

申请日：2013-07-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  杨仲盼 ,  薛晨辉 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  尹海峰 ,  徐哲

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/26

Abstract: 本发明公开了一种双路噪声抵消电流复用低噪声放大器，包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第三电阻、第四电阻、第四电容、第五电容；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管、第二电阻、第六电容；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二电容、第一电阻。该结构的低噪声放大器具有双路噪声抵消的功能，具有低噪声系数和低功耗的功能。

公开(公告)号：CN103107791B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201210590866.3

申请日：2012-12-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴建辉 ,  尹海峰 ,  李红 ,  陈超 ,  白春风 ,  刘智林 ,  徐哲 ,  杨仲盼

IPC: H03G3/30

Abstract: 本发明公开了一种带宽恒定的增益线性可变增益放大器，该可变增益放大器包含共源级放大器和增益调节网络；共源级放大器包括第一N型金属氧化物晶体管、第五N型金属氧化物晶体管、第一P型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管和第一电流源；增益调节网络包括第二至第八N型金属氧化物晶体管、第二至第十电流源和第一至第十五开关。该结构的放大器具有带宽恒定的特点，同时通过不同的控制字，能够使增益达到精确的线性效果。