公开(公告)号：CN117460396A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311520494.1

申请日：2023-11-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 张龙 ,  郑贵强 ,  李沂宸 ,  李雪琪 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/01

Abstract: 一种水平型霍尔器件及制备方法。一种水平型霍尔器件，包括：衬底层及上面的BOX层，BOX层上设有外延层，外延层上设有阱层，阱层上设有STI层，在STI层设有感应电极对和偏置电极对，在外延层上设有接地电极，在相邻的感应电极与偏置电极之间设有电流阻挡层。一种水平型霍尔器件的制备方法，包括：制备有BOX层和外延层的衬底；对外延层进行深槽刻蚀，深槽底部与BOX层直接接触，填充深槽形成电流阻挡层，光刻并在外延层的上部掺杂形成阱层，对阱层区域进行浅槽刻蚀，形成位于所述型阱层上的浅槽，通过沉积二氧化硅形成STI层，对感应电极对区域和偏置电极对区域进行掺杂形成重掺杂接触层，对外延层掺杂以形成重掺杂接触层。