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公开(公告)号:CN117023638A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202311103310.1
申请日:2023-08-30
Applicant: 东南大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明提供了一种有序介孔二硫化钼材料及其制备方法和应用,本发明采用两亲性嵌段共聚物与四硫代钼酸铵在DMF/H2O双溶剂体系中进行共组装,并随着溶剂的挥发自组装形成有序排列的介观结构。复合薄膜在Ar/H2气氛中高温焙烧后,模板剂分解,四硫代钼酸铵分解为二硫化钼,得到有序介孔二硫化钼材料。本发明基于有序介孔二硫化钼材料的半导体气体传感器在室温下对NO2气体表现了优异的传感性能,包括高的灵敏度、快速的响应‑恢复速度和高的选择性等,超越了大部分前人报导结果,有望应用于大气环境监测、智能医疗等领域。本发明制备过程操作简单、易于重复、条件容易控制,且制备参数可调,易于实现工业化生产。
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公开(公告)号:CN117142523A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311103315.4
申请日:2023-08-30
Applicant: 东南大学
IPC: C01G41/00 , B82Y40/00 , C03C17/22 , B01J27/047 , B01J35/10 , B01J35/06 , C23C18/12 , G01N27/12 , G01D5/26
Abstract: 本发明公开了一种有序介孔二硫化钨半导体材料及其制备方法和应用,本发明采用两亲性嵌段共聚物为有机模板剂,多金属氧酸盐团簇为钨源,在双溶剂体系(有机溶剂/水)中进行共组装,得到球形核壳复合胶束,溶剂挥发后胶束沉积到基底上得到有机‑无机复合薄膜。该有机‑无机复合薄膜先在空气气氛中高温焙烧后,得到介孔三氧化钨;然后在惰性气氛中利用硫粉为硫源,高温硫化还原得到有序介孔二硫化钨材料。本发明原料易得,制备过程简单、易于重复、条件容易控制,且制备参数容易调控,易于实现规模化生产。
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