公开(公告)号：CN109192777A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201810831275.8

申请日：2018-07-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 沈克强 ,  张乐 ,  景润东

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种深槽半超结构功率器件及制造方法，基于半超结改进结构的深槽半超结结构，与传统半超结结构相比，没有底部的电压支持层，而是在超结结构与源区之间通过体电压支持层产生半超结效应，同时沟槽栅较深，且贯穿整个体电压支持层，能够在半超结结构基础上，进一步降低导通电阻。

公开(公告)号：CN109192777B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201810831275.8

申请日：2018-07-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 沈克强 ,  张乐 ,  景润东

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种深槽半超结结构功率器件及制造方法，基于半超结改进结构的深槽半超结结构，与传统半超结结构相比，没有底部的电压支持层，而是在超结结构与源区之间通过体电压支持层产生半超结效应，同时沟槽栅较深，且贯穿整个体电压支持层，能够在半超结结构基础上，进一步降低导通电阻。