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公开(公告)号:CN107943592A
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201711326972.X
申请日:2017-12-13
Applicant: 江苏省邮电规划设计院有限责任公司 , 东南大学
IPC: G06F9/50
Abstract: 本发明公开了一种面向GPU集群环境的避免GPU资源争用的方法,包括支持多应用程序细粒度并发执行的插件,应用程序行为特征抽取和应用程序任务调度。针对同一个NVIDIA GPU节点上运行的多个应用程序可能会引起的GPU资源争用问题,构建一个支持多应用程序细粒度并发执行的平台,使得多个应用程序在同一个GPU节点上可以尽可能的并发执行。其次,抽取每个应用程序的GPU行为特征,包括GPU使用模式和GPU资源需求信息。根据应用程序的GPU行为特征,以及当前GPU集群中各个GPU节点的资源使用状态,调度应用程序到适合的GPU节点上,从而最小化多个独立应用程序在同一个GPU节点上的资源争用。
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公开(公告)号:CN107943592B
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN201711326972.X
申请日:2017-12-13
Applicant: 中通服咨询设计研究院有限公司 , 东南大学
IPC: G06F9/50
Abstract: 本发明公开了一种面向GPU集群环境的避免GPU资源争用的方法,包括支持多应用程序细粒度并发执行的插件,应用程序行为特征抽取和应用程序任务调度。针对同一个NVIDIA GPU节点上运行的多个应用程序可能会引起的GPU资源争用问题,构建一个支持多应用程序细粒度并发执行的平台,使得多个应用程序在同一个GPU节点上可以尽可能的并发执行。其次,抽取每个应用程序的GPU行为特征,包括GPU使用模式和GPU资源需求信息。根据应用程序的GPU行为特征,以及当前GPU集群中各个GPU节点的资源使用状态,调度应用程序到适合的GPU节点上,从而最小化多个独立应用程序在同一个GPU节点上的资源争用。
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公开(公告)号:CN101916805A
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN201010224992.8
申请日:2010-07-13
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/44
Abstract: 本发明公开一种增强发光二极管外发光效率的同心光子晶体结构,用于发光二极管(LED)覆层或ITO层的光子晶体结构,该结构是在LED表面的覆层或ITO层上经刻蚀或压印形成,刻蚀或压印形成由中心向外交替排列的空气或低折射率材料(1)与LED覆层或ITO层介质(2)构成封闭环,该周期结构在径向最少包含2个空气或低折射率材料(1)与LED覆层或ITO层介质(2)的基本单元。本发明利用这种环形周期结构,与原有的光子晶体LED相比,可有效提高LED的外发光效率,且其加工工艺要求相比原有光子晶体结构要求大为降低。
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公开(公告)号:CN201796944U
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN201020256709.5
申请日:2010-07-13
Applicant: 东南大学
IPC: H01L33/44
Abstract: 本实用新型公开一种增强发光二极管外发光效率的同心光子晶体结构,用于发光二极管(LED)覆层或ITO层的光子晶体结构,该结构是在LED表面的覆层或ITO层上经刻蚀或压印形成,刻蚀或压印形成由中心向外交替排列的空气或低折射率材料(1)与LED覆层或ITO层介质(2)构成封闭环,该周期结构在径向最少包含2个空气或低折射率材料(1)与LED覆层或ITO层介质(2)的基本单元。本实用新型利用这种环形周期结构,与原有的光子晶体LED相比,可有效提高LED的外发光效率,且其加工工艺要求相比原有光子晶体结构要求大为降低。
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