公开(公告)号：CN111272781A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN202010092287.0

申请日：2020-02-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 贺龙兵 ,  谢君 ,  杨宇峰 ,  朱炯昊 ,  陈文轩 ,  朱智涵 ,  吕炳融

IPC: G01N23/04 ,  G01N23/20008

Abstract: 本发明公开一种用于透射电镜原位表征的CVD芯片，该CVD芯片包含底板芯片与盖板芯片。底板芯片包含硅片基底，沉积在硅片基底上的绝缘层薄膜，沉积在绝缘层薄膜上的低温区电极与高温区电极，沉积在电极表面的隔离层薄膜，刻蚀在低温区和高温区的两个观察窗口，刻蚀在硅片基底中的镂空区；盖板芯片包括硅片基底，沉积在硅片基底上的支撑薄膜，刻蚀在支撑薄膜中的观察区，刻蚀在硅片基底中的镂空区，镂空区覆盖观察区。把用于CVD生长的源材料置于高温区，把催化剂材料置于低温区，然后在隔离层薄膜外周区域粘上金属粘合剂，令支撑薄膜面向金属粘合剂，使盖板芯片和底板芯片对粘密封形成CVD芯片，装入匹配的透射电镜样品杆中观测使用。