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发明公开
一种MEMS压力传感器及片上零漂和温漂补偿方法审中-实审

公开(公告)号：CN118961007A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411209152.2

申请日：2024-08-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 张志强 , 袁子杰 , 吕思旭 , 杨婉丽 , 钟黎红

IPC: G01L1/20 , G01L1/26

Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器及片上零漂和温漂补偿方法，采用在惠斯通电桥中集成补偿电阻的方案实现桥内硬件补偿。其中补偿电阻分为起到调零作用的串联电阻和起到补偿作用的并联电阻。通过测定补偿前传感器在供电情况下输出电压，进而计算出补偿电阻接入电桥的形式和阻值的大小；通过半导体工艺或激光修调，改变补偿电阻接入电桥的形式以及阻值的大小，从而实现因工艺误差和外部环境引发的零点漂移和温度漂移偏差的硬件补偿，有助于提高批量生产时芯片的一致性。此外，本发明的具有片上零漂和温漂补偿的MEMS压力传感器的制备工艺简单，可显著简化后端调理电路的复杂性，提高传感器的集成度。

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