公开(公告)号：CN112786781B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110006952.4

申请日：2021-01-05

Applicant: 东华大学

Inventor： 吴良才 ,  梁拥成 ,  赵俊士 ,  宋志棠 ,  刘卫丽 ,  褚家宝

IPC: H01L45/00 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种超硬Re元素复合Re‑Sb‑Te相变材料及其在相变存储器单元中的应用。所述超硬Re元素复合Re‑Sb‑Te相变材料包括铼、锑、碲三种元素，其化学通式为Rex(Sb2Te)y或Rex(Sb2Te3)y，其中，0

公开(公告)号：CN112786781A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110006952.4

申请日：2021-01-05

Applicant: 东华大学

Inventor： 吴良才 ,  梁拥成 ,  赵俊士 ,  宋志棠 ,  刘卫丽 ,  褚家宝

IPC: H01L45/00 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种超硬Re元素复合Re‑Sb‑Te相变材料及其在相变存储器单元中的应用。所述超硬Re元素复合Re‑Sb‑Te相变材料包括铼、锑、碲三种元素，其化学通式为Rex(Sb2Te)y或Rex(Sb2Te3)y，其中，0

公开(公告)号：CN109182989A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811064978.9

申请日：2018-09-12

Applicant: 东华大学

Inventor： 姜海涛 ,  章思帆 ,  梁拥成 ,  吴良才

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明提供了一种ScB2-B超硬复合薄膜及其制备方法。所述的ScB2-B超硬复合材料，其特征在于，其化学式为(1-x)ScB2-xB，其中0＜x≤0.6。所述ScB2-B复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：清除衬底表面杂质，腔体预加热，衬底表面清洗刻蚀，采用用Sc、B两靶磁控共溅射制备得到ScB2-B复合薄膜，通过控制两个靶位电源功率和溅射时的腔体压强等来实现组分的调节，可以获得不同物理属性(模量、硬度、热膨胀系数等)的组成，满足不同的使用需求和使用场景。本发明所提供的硼化钪硬度高，适用于机械加工、油井钻探和航天航空等许多领域广泛应用。

公开(公告)号：CN109182989B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201811064978.9

申请日：2018-09-12

Applicant: 东华大学

Inventor： 姜海涛 ,  章思帆 ,  梁拥成 ,  吴良才

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明提供了一种ScB2‑B超硬复合薄膜及其制备方法。所述的ScB2‑B超硬复合材料，其特征在于，其化学式为(1‑x)ScB2‑xB，其中0＜x≤0.6。所述ScB2‑B复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：清除衬底表面杂质，腔体预加热，衬底表面清洗刻蚀，采用用Sc、B两靶磁控共溅射制备得到ScB2‑B复合薄膜，通过控制两个靶位电源功率和溅射时的腔体压强等来实现组分的调节，可以获得不同物理属性(模量、硬度、热膨胀系数等)的组成，满足不同的使用需求和使用场景。本发明所提供的硼化钪硬度高，适用于机械加工、油井钻探和航天航空等许多领域广泛应用。

公开(公告)号：CN109103330A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810736747.1

申请日：2018-07-06

Applicant: 东华大学

Inventor： 吴良才 ,  刘广宇 ,  宋志棠 ,  陈莹 ,  张菁 ,  封松林

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种N掺杂Ge-Se-As OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法，所述N掺杂Ge-Se-As OTS材料的化学通式为GeSeAs0.2Nx，其中0

公开(公告)号：CN109065708A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810736771.5

申请日：2018-07-06

Applicant: 东华大学

Inventor： 吴良才 ,  刘广宇 ,  宋志棠 ,  李涛 ,  石建军 ,  封松林

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/144 ,  H01L45/12 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明涉及一种双层相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述材料为Ge‑Sb‑Te/Sb‑Te或Ge‑Te/Sb‑Te；其中Sb‑Te的化学通式为SbxTe100‑x，满足20

公开(公告)号：CN116471920A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202211589078.2

申请日：2022-12-12

Applicant: 东华大学

Inventor： 吴良才 ,  徐鹏 ,  梁拥成 ,  宋志棠 ,  褚家宝

IPC: H10N70/20 ,  B82Y10/00 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明公开了一种高纯石墨掺杂纳米相变薄膜及其应用。所述纳米相变薄膜包括石墨与锗、锑、碲三种元素中的至少一种的组合，化学通式为Grx(GezSbmTen)y，其中，0

公开(公告)号：CN110635033A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910962972.1

申请日：2019-10-11

Applicant: 东华大学

Inventor： 吴良才 ,  梁琪 ,  赵俊士 ,  梁拥成 ,  陈莹 ,  章思帆 ,  宋志棠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种B-Sb-Te相变材料、相变存储单元及其制备方法。所述相变材料包含硼、锑、碲三种元素，其化学通式为Bx(Sb2Te3)y。所述相变存储单元至少包括底电极层、顶电极层及位于两者之间的相变材料层，所述相变材料层采用B-Sb-Te相变材料。制备方法为：制备底电极层；在底电极层上采用磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法或电子束蒸镀法制备相变材料层；在相变材料层上制备顶电极层。本发明具有较好的热稳定性、结晶速度、数据保持力、密度变化率、低阻态稳定性和电性能，通过调节元素比例，可以得到热稳定性、数据保持力、结晶速度、密度变化率、晶粒尺寸更加优化的相变材料，其在相变或加工过程中不易挥发。