一种原位均匀生长的CoNi-LDH@MXene的方法及应用

    公开(公告)号:CN117672721A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311766259.2

    申请日:2023-12-21

    Abstract: 本发明提供了一种原位均匀生长的CoNi‑LDH@MXene复合材料的合成方法,该方法为:以Ti3C2Tx MXene胶体溶液,六水合硝酸钴,十六烷基三甲基溴化铵,二甲基咪唑通过室温搅拌合成ZIF@MXene复合材料,然后用六水合硝酸钴对ZIF@MXene复合物进行热处理,生成L‑ZIF@MX ene,然后用六水合硝酸镍刻蚀L‑ZIF@MXene,得到CoNi‑LDH@MXene复合材料。这是一种全新的方法在MXene纳米片上生长LDH纳米片。经过热处理后的L‑ZIF@MXene表面发生褶皱,活性位点得到更大的暴露,并在镍离子的刻蚀下在ZIF彻底分解生成均匀的LDH层状纳米片。本发明选用的碱刻蚀方法简便、反应条件温和环保,对设备要求低且节能,制得的NiCoMo‑LDH复合材料用于超级电容器正极中。

    一种Bi2CuO4@Bi2O3复合材料的合成方法及其应用

    公开(公告)号:CN117790201A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202410046314.9

    申请日:2024-01-12

    Abstract: 本发明提供了一种Bi2CuO4@Bi2O3复合材料的合成方法,该方法为:以三水合硝酸铜、五水合硝酸铋、甲醇和均苯三甲酸为原料,通过水热法合成CuBi‑MOF双金属有机框架,将CuBi‑MOF双金属有机框架在空气中煅烧,生成Bi2CuO4@Bi2O3复合材料。本发明合成方法简便、反应条件温和,并且对设备要求低,有利于降低成本,还能通过调整金属的添加量,制备不同比例的Bi2CuO4@Bi2O3复合材料,制备的Bi2CuO4@Bi2O3复合材料具有比电容高,倍率性能和循环稳定性好的电化学性能,广泛应用在超级电容器负极中。

    一种一锅法合成MXene/硫化镍钴电极材料的方法

    公开(公告)号:CN117275962A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311500304.X

    申请日:2023-11-13

    Abstract: 本发明提供了一种一锅法合成MXene/硫化镍钴电极材料的方法,该方法包括MXene材料的制备及合成MXene/硫化镍钴电极材料两个步骤。本发明还提供了MXene/硫化镍钴电极材料的应用,所述MXene/硫化镍钴电极材料用于超级电容器的正极材料。本发明的一锅法合成MXene/硫化镍钴电极材料的方法制备工艺简单、易操作,可以有效降低生产成本,而且制得的MXene/硫化镍钴电极材料具有比电容高、倍率性能好、循环性能稳定的优点,可以弥补硫化镍钴电极材料的电化学性能劣势,有很大的应用前景。

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