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公开(公告)号：CN114823945B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210450327.3
申请日：2022-04-27
Applicant: 东北大学秦皇岛分校
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/108 , H01L31/18 , G02B5/00
Abstract: 本发明的金属/钛掺杂氧化钨肖特基结的探测器结构及制备方法，涉及光电探测器制作领域。具体将掺氟氧化锡(FTO)导电玻璃作为衬底；利用磁控溅射的方法在FTO导电玻璃衬底一侧表面沉积钛掺杂氧化钨层；放入马弗炉中进行高温热处理，氧化钨晶化使表面产生内陷结构；利用磁控溅射或真空蒸镀的方法在热处理后的附有钛掺杂氧化钨层的FTO导电玻璃表面沉积金属。内陷结构使最终器件金属表面具有等离子体激元效应，以增强器件对入射光的吸收、转换效率和实现响应光谱的拓宽，突破传统无机材料探测器禁带宽度的限制，进而获得高性能的宽光谱光电探测器。
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公开(公告)号：CN114823945A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210450327.3
申请日：2022-04-27
Applicant: 东北大学秦皇岛分校
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/108 , H01L31/18 , G02B5/00
Abstract: 本发明的金属/钛掺杂氧化钨肖特基结的探测器结构及制备方法，涉及光电探测器制作领域。具体将掺氟氧化锡(FTO)导电玻璃作为衬底；利用磁控溅射的方法在FTO导电玻璃衬底一侧表面沉积钛掺杂氧化钨层；放入马弗炉中进行高温热处理，氧化钨晶化使表面产生内陷结构；利用磁控溅射或真空蒸镀的方法在热处理后的附有钛掺杂氧化钨层的FTO导电玻璃表面沉积金属。内陷结构使最终器件金属表面具有等离子体激元效应，以增强器件对入射光的吸收、转换效率和实现响应光谱的拓宽，突破传统无机材料探测器禁带宽度的限制，进而获得高性能的宽光谱光电探测器。
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公开(公告)号：CN113363332B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110465661.1
申请日：2021-04-28
Applicant: 东北大学秦皇岛分校
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 一种过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜及其制备方法，本发明采用溶胶凝胶法结合旋涂法，采用以Ni为代表的过渡族元素对CZTS进行单掺杂，制备高质量、高性能的过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜。本发明通过改进工艺参数，调控以Ni为代表的过渡族元素掺杂浓度可实现CZTS薄膜能带结构可控、光电综合性能可控。在保证了薄膜高致密度、高均匀度的基础上，实现了低成本制备能带结构可控、性能可控的CZTS薄膜。
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公开(公告)号：CN113363332A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110465661.1
申请日：2021-04-28
Applicant: 东北大学秦皇岛分校
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 一种过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜及其制备方法，本发明采用溶胶凝胶法结合旋涂法，采用以Ni为代表的过渡族元素对CZTS进行单掺杂，制备高质量、高性能的过渡族元素单掺杂的CZTS薄膜。本发明通过改进工艺参数，调控以Ni为代表的过渡族元素掺杂浓度可实现CZTS薄膜能带结构可控、光电综合性能可控。在保证了薄膜高致密度、高均匀度的基础上，实现了低成本制备能带结构可控、性能可控的CZTS薄膜。
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