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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118127556A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410100029.0
申请日：2024-01-24
Applicant: 东北大学佛山研究生创新学院
IPC: C25B11/091 , C25B11/089 , C25B11/052 , C25B1/04 , C25D11/26
Abstract: 本发明属于材料表面处理领域，具体涉及一种镍钼钛基复合涂层电极的制备方法。该制备方法首先通过微弧氧化(MAO)技术，在含有Ni2+，MoO42‑的电解液中，在纯钛表面制备Ni和Mo掺杂TiO2的复合陶瓷膜层，再经过热处理氮化以及还原，得到在纯钛基体表面原位生长的电解水电极。由于现今的析氢催化剂与基体材料的结合力太弱，大电流下很难保持稳定性，难以满足实际的工业生产需求的问题，利用该方法制备的电极材料，膜层与基体结合力强，电解水析氢析氧活性高，寿命长，适合工业化批量生产，具有优异的社会和经济价值。
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公开(公告)号：CN115771913A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211371625.X
申请日：2022-11-03
Applicant: 东北大学佛山研究生创新学院
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种低温镓锌液态合金制备锌掺杂二维氧化镓薄膜的方法。该方法通过熔炼将金属镓和金属锌制备为低熔点的镓锌液态合金；利用液态合金涂刷的方法制备非晶锌掺杂型氧化镓薄膜并转移至SiO2衬底或石英玻璃衬底；最后进行退火，提高锌元素的分布均匀性和薄膜质量。合金化处理可以将镓、锌两种纯金属在氧化前按特定比例熔合，并在较为简单的制备条件下氧化成膜，获得具有较大尺寸和较高透明度的超薄锌掺杂氧化镓。从而，通过改变合金成分还可以对薄膜的锌掺杂量和薄膜的光学带隙进行有效调节，该技术有望在半导体器件(如：日盲探测器、场效应晶体管等)领域得到应用。
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公开(公告)号：CN115710716A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211527116.1
申请日：2022-11-30
Applicant: 东北大学佛山研究生创新学院 , 东北大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/067 , C25B11/054 , C25B11/091
Abstract: 本发明涉及半导体纳米材料及光电催化分解水领域，具体涉及一种CoPi负载的枝状(GaN)1‑x(ZnO)x‑GaN纳米线阵列光阳极及制备方法。该光阳极选用n型Si掺杂导电良好的GaN单晶片为衬底，通过一步化学气相沉积法在衬底上同质外延生长GaN纳米线阵列，并以其为主干再通过催化剂辅助生长的一步化学气相沉积法生长(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米线分枝，负载析氧助催化剂CoPi。采用耐高温及导电性良好的n型GaN衬底，不仅可以满足高温条件下高结晶质量的GaN纳米线阵列材料的外延生长，还使得GaN纳米线阵列与GaN基底之间拥有较好的界面接触和结合力，易于电荷的传输，可应用于光电催化分解水中。
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公开(公告)号：CN115710716B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202211527116.1
申请日：2022-11-30
Applicant: 东北大学佛山研究生创新学院 , 东北大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/067 , C25B11/054 , C25B11/091
Abstract: 本发明涉及半导体纳米材料及光电催化分解水领域，具体涉及一种CoPi负载的枝状(GaN)1‑x(ZnO)x‑GaN纳米线阵列光阳极及制备方法。该光阳极选用n型Si掺杂导电良好的GaN单晶片为衬底，通过一步化学气相沉积法在衬底上同质外延生长GaN纳米线阵列，并以其为主干再通过催化剂辅助生长的一步化学气相沉积法生长(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米线分枝，负载析氧助催化剂CoPi。采用耐高温及导电性良好的n型GaN衬底，不仅可以满足高温条件下高结晶质量的GaN纳米线阵列材料的外延生长，还使得GaN纳米线阵列与GaN基底之间拥有较好的界面接触和结合力，易于电荷的传输，可应用于光电催化分解水中。
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公开(公告)号：CN115771913B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211371625.X
申请日：2022-11-03
Applicant: 东北大学佛山研究生创新学院
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种低温镓锌液态合金制备锌掺杂二维氧化镓薄膜的方法。该方法通过熔炼将金属镓和金属锌制备为低熔点的镓锌液态合金；利用液态合金涂刷的方法制备非晶锌掺杂型氧化镓薄膜并转移至SiO2衬底或石英玻璃衬底；最后进行退火，提高锌元素的分布均匀性和薄膜质量。合金化处理可以将镓、锌两种纯金属在氧化前按特定比例熔合，并在较为简单的制备条件下氧化成膜，获得具有较大尺寸和较高透明度的超薄锌掺杂氧化镓。从而，通过改变合金成分还可以对薄膜的锌掺杂量和薄膜的光学带隙进行有效调节，该技术有望在半导体器件(如：日盲探测器、场效应晶体管等)领域得到应用。
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