本发明涉及半导体纳米材料及光电催化分解水领域，具体涉及一种CoPi负载的枝状(GaN)1‑x(ZnO)x‑GaN纳米线阵列光阳极及制备方法。该光阳极选用n型Si掺杂导电良好的GaN单晶片为衬底，通过一步化学气相沉积法在衬底上同质外延生长GaN纳米线阵列，并以其为主干再通过催化剂辅助生长的一步化学气相沉积法生长(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米线分枝，负载析氧助催化剂CoPi。采用耐高温及导电性良好的n型GaN衬底，不仅可以满足高温条件下高结晶质量的GaN纳米线阵列材料的外延生长，还使得GaN纳米线阵列与GaN基底之间拥有较好的界面接触和结合力，易于电荷的传输，可应用于光电催化分解水中。