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公开(公告)号：CN106498359B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201611147545.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 东北大学
Abstract: 磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，按以下步骤进行：（1）采用SiO2作为衬底材料经过超声波清洗处理后送入磁控溅射真空室中的样品台；（2）将所需要的靶材放入磁控溅射真空室的靶位上；（3）抽真空；（4）通过磁控溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，或者先在衬底材料表面制成Cr膜，再在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜。本发明采用磁控共溅射方法，制备的高纯薄膜平行于磁各向异性，其粗糙度以及矫顽力有明显的变化，制备时间短，纯度高，设备简单，容易操作，成本低。
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公开(公告)号：CN106706718B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201611122907.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种三层结构敏感层酞菁气敏传感器及其制备方法，属于气体传感器领域。该三层结构敏感层酞菁气敏传感器含有的结构自下而上依次为基底、底电极、介电层、敏感层和上电极，敏感层为TiO2/MPc/TiO2三明治结构。其制备方法为：1.将基底进行超声、吹干和热处理；2.用直流或交流磁控溅射将底电极蒸镀到基底上；用交流磁控溅射将介电层蒸镀到底电极上；用电子束蒸发将TiO2薄膜镀在介电层上，用有机电子束蒸发制备金属酞菁配合物薄膜，用电子束蒸发镀上TiO2薄膜；用直流或交流磁控溅射将上电极镀于敏感层上。该气敏传感器采用TiO2/MPc/TiO2三层膜结构为敏感层，在检测还原性气体时，电流增加、并且响应时间变快、检测更敏感，吸附气体能力更强。
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公开(公告)号：CN106706718A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611122907.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种三层结构敏感层酞菁气敏传感器及其制备方法，属于气体传感器领域。该三层结构敏感层酞菁气敏传感器含有的结构自下而上依次为基底、底电极、介电层、敏感层和上电极，敏感层为TiO2/MPc/TiO2三明治结构。其制备方法为：1.将基底进行超声、吹干和热处理；2.用直流或交流磁控溅射将底电极蒸镀到基底上；用交流磁控溅射将介电层蒸镀到底电极上；用电子束蒸发将TiO2薄膜镀在介电层上，用有机电子束蒸发制备金属酞菁配合物薄膜，用电子束蒸发镀上TiO2薄膜；用直流或交流磁控溅射将上电极镀于敏感层上。该气敏传感器采用TiO2/MPc/TiO2三层膜结构为敏感层，在检测还原性气体时，电流增加、并且响应时间变快、检测更敏感，吸附气体能力更强。
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公开(公告)号：CN106498359A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611147545.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 东北大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/185
Abstract: 磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，按以下步骤进行（：1）采用SiO2作为衬底材料经过超声波清洗处理后送入磁控溅射真空室中的样品台；（2）将所需要的靶材放入磁控溅射真空室的靶位上；（3）抽真空；（4）通过磁控溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，或者先在衬底材料表面制成Cr膜，再在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜。本发明采用磁控共溅射方法，制备的高纯薄膜平行于磁各向异性，其粗糙度以及矫顽力有明显的变化，制备时间短，纯度高，设备简单，容易操作，成本低。
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