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公开(公告)号：CN106496238A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610907639.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 东北大学
IPC: C07D487/22
CPC classification number: C07D487/22
Abstract: 一种溶剂热法制备金属酞菁化合物的方法，属于有机合成技术领域。该溶剂热法制备金属酞菁化合物的方法，包括以下步骤：将邻苯二甲腈(C8H4N2)和金属物质加入高压反应釜中，加入溶剂，得到混合物料；其中，按摩尔比，C8H4N2∶金属物质＝(4～8)∶1，溶剂加入量占高压反应釜内衬容积的2/3～4/5；将混合物料，在160～190℃，进行溶剂热反应2～5h，冷却至室温，倒掉澄清液，干燥，制得粉末状或棒状的金属酞菁化合物，金属酞菁化合物的纯度为98.5％以上。该方法解决现有的金属酞菁化合物晶体的合成存在生长周期长、合成纯度低、成本高等问题，提供的一种溶剂热法制备金属酞菁化合物的方法，具有方法简易，容易操作，且绿色无污染的优点。原料采用金属盐或固态金属均可制备出金属酞菁化合物，在原料选择上范围更大，原料适用性广。
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公开(公告)号：CN106706718A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611122907.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种三层结构敏感层酞菁气敏传感器及其制备方法，属于气体传感器领域。该三层结构敏感层酞菁气敏传感器含有的结构自下而上依次为基底、底电极、介电层、敏感层和上电极，敏感层为TiO2/MPc/TiO2三明治结构。其制备方法为：1.将基底进行超声、吹干和热处理；2.用直流或交流磁控溅射将底电极蒸镀到基底上；用交流磁控溅射将介电层蒸镀到底电极上；用电子束蒸发将TiO2薄膜镀在介电层上，用有机电子束蒸发制备金属酞菁配合物薄膜，用电子束蒸发镀上TiO2薄膜；用直流或交流磁控溅射将上电极镀于敏感层上。该气敏传感器采用TiO2/MPc/TiO2三层膜结构为敏感层，在检测还原性气体时，电流增加、并且响应时间变快、检测更敏感，吸附气体能力更强。
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公开(公告)号：CN111613662B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010459827.4
申请日：2020-05-27
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明的偏压诱导共线反铁磁材料产生自旋极化电流及其调控方法，属于反铁磁材料技术领域。具体的，通过对共线反铁磁材料NiO特定晶向成膜后制成器件，以实现NiO[111]方向的特定晶向施加偏压，打破磁性亚点阵的对称性，从而在NiO中产生高达80％的自旋极化的电流，并且自旋极化电流的极化率的高低和偏振方向可以通过施加偏压进行调控。进一步的通过调控相应的偏压施加数据，能够保证在界面无序情况下，仍能获得高达63％的自旋极化电流，可见该方法具有很强的对界面结构的抗干扰性以及实际应用中的可行性。
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公开(公告)号：CN106498359B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201611147545.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 东北大学
Abstract: 磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，按以下步骤进行：（1）采用SiO2作为衬底材料经过超声波清洗处理后送入磁控溅射真空室中的样品台；（2）将所需要的靶材放入磁控溅射真空室的靶位上；（3）抽真空；（4）通过磁控溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，或者先在衬底材料表面制成Cr膜，再在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜。本发明采用磁控共溅射方法，制备的高纯薄膜平行于磁各向异性，其粗糙度以及矫顽力有明显的变化，制备时间短，纯度高，设备简单，容易操作，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111613662A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010459827.4
申请日：2020-05-27
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明的偏压诱导共线反铁磁材料产生自旋极化电流及其调控方法，属于反铁磁材料技术领域。具体的，通过对共线反铁磁材料NiO特定晶向成膜后制成器件，以实现NiO[111]方向的特定晶向施加偏压，打破磁性亚点阵的对称性，从而在NiO中产生高达80％的自旋极化的电流，并且自旋极化电流的极化率的高低和偏振方向可以通过施加偏压进行调控。进一步的通过调控相应的偏压施加数据，能够保证在界面无序情况下，仍能获得高达63％的自旋极化电流，可见该方法具有很强的对界面结构的抗干扰性以及实际应用中的可行性。
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公开(公告)号：CN106706718B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201611122907.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 东北大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种三层结构敏感层酞菁气敏传感器及其制备方法，属于气体传感器领域。该三层结构敏感层酞菁气敏传感器含有的结构自下而上依次为基底、底电极、介电层、敏感层和上电极，敏感层为TiO2/MPc/TiO2三明治结构。其制备方法为：1.将基底进行超声、吹干和热处理；2.用直流或交流磁控溅射将底电极蒸镀到基底上；用交流磁控溅射将介电层蒸镀到底电极上；用电子束蒸发将TiO2薄膜镀在介电层上，用有机电子束蒸发制备金属酞菁配合物薄膜，用电子束蒸发镀上TiO2薄膜；用直流或交流磁控溅射将上电极镀于敏感层上。该气敏传感器采用TiO2/MPc/TiO2三层膜结构为敏感层，在检测还原性气体时，电流增加、并且响应时间变快、检测更敏感，吸附气体能力更强。
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公开(公告)号：CN106496238B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201610907639.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 东北大学
IPC: C07D487/22
Abstract: 一种溶剂热法制备金属酞菁化合物的方法，属于有机合成技术领域。该溶剂热法制备金属酞菁化合物的方法，包括以下步骤：将邻苯二甲腈(C8H4N2)和金属物质加入高压反应釜中，加入溶剂，得到混合物料；其中，按摩尔比，C8H4N2∶金属物质＝(4～8)∶1，溶剂加入量占高压反应釜内衬容积的2/3～4/5；将混合物料，在160～190℃，进行溶剂热反应2～5h，冷却至室温，倒掉澄清液，干燥，制得粉末状或棒状的金属酞菁化合物，金属酞菁化合物的纯度为98.5％以上。该方法解决现有的金属酞菁化合物晶体的合成存在生长周期长、合成纯度低、成本高等问题，提供的一种溶剂热法制备金属酞菁化合物的方法，具有方法简易，容易操作，且绿色无污染的优点。原料采用金属盐或固态金属均可制备出金属酞菁化合物，在原料选择上范围更大，原料适用性广。
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公开(公告)号：CN115084250A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110289557.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及信息存储技术领域，具体涉及一种能够通过电场实现磁矩180度非易失翻转的自旋电子器件及应用方法。所述自旋电子器件包括两个磁性层和设置于两个磁性层之间的绝缘层或半导体材料，设置于两个磁性层中间的绝缘层或半导体材料能够隔绝两个磁性层的直接相互作用；所述两个磁性层中的一层为半半导体或磁性金属材料，另一层为双极磁性半导体。该器件能够实现通过电场控制两个磁性层的磁耦合状态，实现磁矩的180度翻转。在去掉电场后，两个磁性层之间几乎没有耦合，从而实现磁矩翻转的非易失性。
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公开(公告)号：CN106498359A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611147545.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 东北大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/185
Abstract: 磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，按以下步骤进行（：1）采用SiO2作为衬底材料经过超声波清洗处理后送入磁控溅射真空室中的样品台；（2）将所需要的靶材放入磁控溅射真空室的靶位上；（3）抽真空；（4）通过磁控溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，或者先在衬底材料表面制成Cr膜，再在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜。本发明采用磁控共溅射方法，制备的高纯薄膜平行于磁各向异性，其粗糙度以及矫顽力有明显的变化，制备时间短，纯度高，设备简单，容易操作，成本低。
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