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公开(公告)号：CN113826192B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202080036071.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社(JP)
IPC: H01L21/8234 , H01L21/283 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括具有多个晶体管器件的第一层级、以及定位在第一层级上的第一布线层级。第一布线层级包括平行于第一层级延伸的多条导电线、垂直于第一层级延伸的多个导电垂直互连、以及垂直于第一层级延伸并且包括具有可变电阻率的可编程材料的一个或多个可编程垂直互连，具有可变电阻率是在于一个或多个可编程垂直互连根据电流模式在导电与非导电之间改变。
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