公开(公告)号：CN1277293C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN02813794.9

申请日：2002-07-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水昭贵 ,  鹤田敬 ,  榎本隆 ,  冈广实 ,  高明辉

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 使用CF4+O2气体作为蚀刻气体，通过形成由光刻胶构成的预定形状图案的掩模层105，利用等离子体蚀刻，对有机类防反射膜104进行蚀刻，据此，与以往相比，可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态。

公开(公告)号：CN1535474A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN02813794.9

申请日：2002-07-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水昭贵 ,  鹤田敬 ,  榎本隆 ,  冈广实 ,  高明辉

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 使用CF4+O2气体作为蚀刻气体，通过形成由光刻胶构成的预定形状图案的掩模层105，利用等离子体蚀刻，对有机类防反射膜104进行蚀刻，据此，与以往相比，可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态。