公开(公告)号：CN117637468A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311071845.5

申请日：2023-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤琢磨 ,  吉村正太 ,  野吕基贵 ,  王昕愷 ,  及川弘太

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和等离子体处理装置，能够去除含金属层。在一个例示性的实施方式中，基板处理方法包括：工序(a)，提供基板，基板具备包含第一材料的第一区域和包含第二材料的第二区域，第一材料包含硅，第二材料与第一材料不同；工序(b)，利用从包含卤族元素和金属的处理气体生成的等离子体，在第一区域上形成含金属层，并且对第二区域进行蚀刻；以及工序(c)，利用碱将含金属层去除。

公开(公告)号：CN111834202A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010267814.7

申请日：2020-04-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 滨康孝 ,  野吕基贵 ,  木野周

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。[课题]在不使掩模的开口部阻塞的情况下使掩模的基底膜收缩。[解决方案]提供一种基板处理方法，其包括如下工序：准备基板的工序，所述基板具有为含硅膜的第1膜、和形成于前述第1膜上、且具有第2开口部的第2膜；控制工序，将基板的温度控制为-30°以下；和，蚀刻工序，通过前述第2开口部蚀刻前述第1膜，在蚀刻前述第1膜的工序中，使用包含氟碳气体的第1处理气体的等离子体，按照随着蚀刻的推进，形成于前述第1膜的第1开口部的截面的形状变小的方式，使前述第1膜形成为锥形。