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公开(公告)号：CN110010438A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811524706.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的技术问题为，能够在该被处理体的面内均匀地进行被处理体的等离子体处理。本发明的解决方案为一种等离子体处理装置，其从天线经由处理容器的顶板向处理容器内辐射微波，生成等离子体，对处理容器内的晶片进行等离子体处理，该等离子体处理装置包括：按压部件，其在与处理容器的顶板相对的面形成有槽，将天线按压于处理容器的顶板；和弹性部件，其配置于槽内，由按压部件与天线夹着而变形，对天线施加向处理容器的方向的按压力，槽在以与顶板垂直的规定轴为中心的同心的多个圆环状区域形成为以规定轴为中心的圆弧状或圆环状，弹性部件仅配置于上述多个圆环状区域的一部分。
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公开(公告)号：CN115298355B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202180021330.7
申请日：2021-03-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 提供一种基板的处理方法，包括以下工序：在基板处理装置的腔室内准备基板；基于参照存储有用于计算针对所设定的电力值的校正值Y的式(1)的系数A、B、C、D的存储部、并根据所述式(1)、所述系数A、B、C、D以及表示连续成膜了的基板的处理量的变量X而得到的校正值Y，来校正所设定的所述电力值；以及向所述腔室内施加校正后的所述电力值，来对所准备的所述基板进行处理，其中，所述式(1)表示为Y＝Aexp(BX)+CX+D，所述系数A、C、D中的至少任一方不为0，并且在系数A不为0的情况下系数B也不为0。
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公开(公告)号：CN112272862A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201980037752.6
申请日：2019-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 一种微波等离子体处理装置的清洁方法，该微波等离子体处理装置具有处理容器和微波辐射部，且在所述处理容器的配置所述微波辐射部的位置形成有窗部，该清洁方法包括清洁工序，在该清洁工序中，一边供给清洁气体，一边调整为与包括所述处理容器的壁面、所述微波辐射部以及所述窗部的所述处理容器内的配件中的作为清洁对象的配件的尺寸对应的压力，并通过清洁气体的等离子体来进行清洁。
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公开(公告)号：CN110010438B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201811524706.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明的技术问题为，能够在该被处理体的面内均匀地进行被处理体的等离子体处理。本发明的解决方案为一种等离子体处理装置，其从天线经由处理容器的顶板向处理容器内辐射微波，生成等离子体，对处理容器内的晶片进行等离子体处理，该等离子体处理装置包括：按压部件，其在与处理容器的顶板相对的面形成有槽，将天线按压于处理容器的顶板；和弹性部件，其配置于槽内，由按压部件与天线夹着而变形，对天线施加向处理容器的方向的按压力，槽在以与顶板垂直的规定轴为中心的同心的多个圆环状区域形成为以规定轴为中心的圆弧状或圆环状，弹性部件仅配置于上述多个圆环状区域的一部分。
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公开(公告)号：CN115298355A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021330.7
申请日：2021-03-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/52 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 提供一种基板的处理方法，包括以下工序：在基板处理装置的腔室内准备基板；基于参照存储有用于计算针对所设定的电力值的校正值Y的式(1)的系数A、B、C、D的存储部、并根据所述式(1)、所述系数A、B、C、D以及表示连续成膜了的基板的处理量的变量X而得到的校正值Y，来校正所设定的所述电力值；以及向所述腔室内施加校正后的所述电力值，来对所准备的所述基板进行处理，其中，所述式(1)表示为Y＝Aexp(BX)+CX+D，所述系数A、C、D中的至少任一方不为0，并且在系数A不为0的情况下系数B也不为0。
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