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公开(公告)号:CN112530835A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN202010933375.9
申请日:2020-09-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/203 , H01L43/12 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供成膜系统及其中使用的磁化特性测量装置和成膜方法。成膜系统包括:在基片上形成磁性膜的处理单元;磁化特性测量装置,其测量在处理单元中形成的磁性膜的磁化特性;以及在处理单元与磁化特性测量装置之间输送基片的输送部。磁化特性测量装置包括:磁场施加机构,其具有对基片施加磁场并能够调节施加到上述基片的磁场的永磁体磁路;和检测上述基片的磁化特性的检测器。本发明能够测量所形成磁性膜的磁化特性。
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公开(公告)号:CN114078698A
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202110880543.7
申请日:2021-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor: 石桥翔太
IPC: H01L21/308 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法,其能够高精度且不使工序复杂化地进行线材的线切割以形成所希望的图案。在基片形成图案的图案形成方法包括:准备的基片的步骤,其中,所述基片在基体上形成有呈凸状且线状地设置的多个芯材、和分别在所述芯材的一侧及另一侧呈凸状且线状地设置的第一线材及第二线材;通过包含各向异性成膜的处理,在所述第一线材和所述第二线材中的任一者选择性地形成掩模材的步骤;通过包含使用线掩模的蚀刻的处理,以蚀刻的方式除去要进行线切割的区域中的所述第一线材和所述第二线材中没有形成所述掩模材的一侧的步骤,其中,所述线掩模在与要进行线切割的区域对应的部分具有线状的孔;以及除去所述芯材的步骤。
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公开(公告)号:CN114059030A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202110848822.5
申请日:2021-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高溅射颗粒的入射角的控制性,且提高膜的均匀性的溅射装置和成膜方法。溅射装置包括:释放溅射颗粒的第一靶材和第二靶材;支承基片的基片支承部;以及隙缝板,其配置在上述靶材与上述基片之间,具有供上述溅射颗粒通过的隙缝部,上述隙缝部具有上述靶材侧的第一隙缝和上述基片侧的第二隙缝,上述第二隙缝具有向该第二隙缝内突出的第一突出部和第二突出部,配置成当从上述第一靶材观察上述隙缝部时,上述第一突出部被遮挡,配置成当从上述第二靶材观察上述隙缝部时,上述第二突出部被遮挡。
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公开(公告)号:CN113981391A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202110805272.9
申请日:2021-07-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供限制靶材颗粒相对于基片入射的角度,控制靶材颗粒的指向性的进行溅射处理的装置和方法。在进行由形成于处理容器内的等离子体,从靶材使靶材颗粒释放而使其附着到载置于载置台的基片的溅射处理的装置中,利用磁体移动机构使设置于靶材的背面侧的磁体移动。在载置台与靶材之间设置彼此相对的2个限制板,根据磁体的移动,利用配置位置调节机构调节配置上述限制板的位置。利用上述限制板,能够限制从靶材释放出的靶材颗粒相对于载置在载置台的基片入射的角度,能够控制靶材颗粒的指向性。
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公开(公告)号:CN113088903A
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202011614942.0
申请日:2020-12-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/50 , C23C14/54 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括:靶保持件,其以靶朝向基板且靶沿水平面内的预定的方向延伸的方式在正面保持靶;磁体单元,其具有通过排列磁体而构成的磁体排列体,设于靶保持件的背面侧;一对遮蔽构件,其在被靶保持件保持的靶与基板之间以自靶朝向基板延伸的方式设置;和移动机构,其使磁体单元以在被靶保持件保持的靶的预定的方向上的一端与另一端之间进行往复运动的方式移动,磁体单元以磁体排列体沿着预定的方向并列的方式设有一对,遮蔽构件分别在俯视时设于在磁体单元进行往复运动的期间内一对磁体排列体中的仅一者通过的第1区域与在磁体单元进行往复运动的期间内一对磁体排列体中的两者通过的第2区域之间的边界线上。
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