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公开(公告)号：CN119220961A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410805473.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和成膜方法，能够高精度地在基板进行膜的成膜。基板处理装置包括：处理容器；原料气体供给部，其向处理容器的内部供给原料气体；反应气体供给部，其向处理容器的内部供给与原料气体反应的反应气体；以及脱水气体供给部，其向处理容器的内部供给脱水气体来使水分脱离。在处理容器的内部，在收容有基板的状态下向基板供给原料气体，之后向基板供给反应气体和脱水气体。由此，基板处理装置能够在基板高精度地进行膜的成膜。
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