公开(公告)号：CN109698124B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201811236232.1

申请日：2018-10-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口达也 ,  新纳礼二 ,  藤川诚 ,  广田良浩 ,  杨荣 ,  山本知成

IPC: H01L21/308

Abstract: [课题]提供能抑制蚀刻剂经由形成于半导体制造装置的开口进入所伴随的损伤的产生、并且能将牺牲膜去除的半导体装置的制造方法。[解决方案]在制造半导体装置的方法中，对形成有凹部(29)的基板形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜(6)，在凹部(29)内埋入聚合物；所述凹部(29)包含进行了图案化的牺牲膜(23)的开口。接着，保留埋入的聚合物(6a)而去除聚合物膜(6)后，在凹部(29)内埋入有聚合物(6a)的状态下去除牺牲膜(23)，然后去除凹部(29)内的聚合物。

公开(公告)号：CN109698124A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811236232.1

申请日：2018-10-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口达也 ,  新纳礼二 ,  藤川诚 ,  广田良浩 ,  杨荣 ,  山本知成

IPC: H01L21/308

Abstract: [课题]提供能抑制蚀刻剂经由形成于半导体制造装置的开口进入所伴随的损伤的产生、并且能将牺牲膜去除的半导体装置的制造方法。[解决方案]在制造半导体装置的方法中，对形成有凹部(29)的基板形成由具有脲键的聚合物形成的聚合物膜(6)，在凹部(29)内埋入聚合物；所述凹部(29)包含进行了图案化的牺牲膜(23)的开口。接着，保留埋入的聚合物(6a)而去除聚合物膜(6)后，在凹部(29)内埋入有聚合物(6a)的状态下去除牺牲膜(23)，然后去除凹部(29)内的聚合物。