公开(公告)号：CN119790716A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202380062338.7

申请日：2023-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有吉文彬 ,  花冈秀敏

IPC: H05H1/46

Abstract: 提供一种抑制随时间变化的电极板、电极组件和等离子体处理装置。平行平板型等离子体处理装置用的电极板，其包括主体部，所述主体部具有第一面、与所述第一面相反侧的第二面和多个内侧面，所述多个内侧面规定以从所述第一面到所述第二面的方式贯通所述主体部的多个气体流通孔，所述第一面由具有第一电阻值的材料构成，所述第二面由具有与所述第一电阻值不同的第二电阻值的材料构成。

公开(公告)号：CN116153751A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211423150.4

申请日：2022-11-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊谷良辅 ,  花冈秀敏 ,  有吉文彬

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够防止在喷淋头电极组装体的内部发生的异常放电的喷淋头电极组装体和等离子体处理装置。提供的喷淋头电极组装体是等离子体处理装置的喷淋头电极组装体，其包括：具有多个第一气体流路的电极，其具有暴露于等离子体的正面；和背衬部件，其安装于上述电极，具有与多个上述第一气体流路连通的多个第二气体流路，多个上述第二气体流路分别是隙缝形状的长孔，相对于上述喷淋头电极组装体的中心轴上述长孔的径向的长度比上述长孔的圆周方向的长度长。

公开(公告)号：CN118140297A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280070878.5

申请日：2022-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 瀬野晃汰 ,  有吉文彬

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的等离子体处理系统包括等离子体处理装置和输送装置。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、上部电极组件和升降机构。上部电极组件配置在基片支承部的上方，包括电极支承部和配置在电极支承部下方的可更换上部电极板。升降机构能够使可更换上部电极板在等离子体处理腔室内的上侧位置与下侧位置之间在纵向上移动。升降机构能够在可更换上部电极板位于上侧位置时将可更换上部电极板固定于电极支承部。输送装置包括输送腔室和输送机械臂。输送机械臂能够在等离子体处理腔室内的下侧位置与输送腔室之间输送可更换上部电极板。

公开(公告)号：CN115775715A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202211038728.4

申请日：2022-08-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐 ,  石桥淳治 ,  有吉文彬 ,  箱崎翔 ,  熊谷史记

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种抑制喷淋头的多个气孔中的气体的解离的等离子体处理装置，其包括腔室、基片支承部、上部电极和至少一个电源。腔室在其内部提供处理空间。基片支承部设置于腔室内。上部电极构成从处理空间上方对处理空间导入气体的喷淋头。上部电极包括第一电极和第二电极。第一电极提供朝向处理空间开口的多个第一气孔。第二电极直接或间接地设置于第一电极上，提供与多个第一气孔分别连通的多个第二气孔。至少一个电源构成为能够将第二电极的电位设定为相对于第一电极电位更靠正侧的电位。

公开(公告)号：CN112185789A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010572315.9

申请日：2020-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 有吉文彬 ,  浅原玄德 ,  相泽俊介 ,  伏见彰仁

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法由在载置于支承台的基片的周围具有环状部件的等离子体处理装置实施，该蚀刻方法中，上述环状部件包括第1环状部件和比上述第1环状部件靠外侧配置的第2环状部件，上述第1环状部件的至少一部分配置在上述基片的外周部的下表面与上述支承台的上表面之间的空间，上述蚀刻方法包括：根据上述第2环状部件的消耗量，利用上述第1环状部件调整上述空间的介电常数的工序；和蚀刻上述基片的工序。本发明能够改善基片的外周部的蚀刻特性。