-
公开(公告)号：CN101504927B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200910005187.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C4/12 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置。基板放置台具有用于吸附被处理基板的静电吸盘部(8)和保持静电吸盘部(8)的基台部(7)，基台部(7)具有高度较高的凸部(72)和在凸部(72)的周围位于比凸部(72)低规定高度的位置上的外周面(71)，在外周面(71)上通过层叠膜厚与凸部(72)和外周面(71)的高度之差相等的喷涂膜(76)，而以凸部(72)和喷涂膜(76)的面相连的方式形成为平坦面，在绝缘性部件(81)、(83)、(84)之间配设电极(82)而构成静电吸盘部(8)，在基台部(7)上用粘结剂(9)固定静电吸盘部(8)，使得其覆盖凸部(72)的上表面和喷涂膜(76)的面的边界。
-
公开(公告)号：CN101504927A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910005187.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C4/12 , H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置。基板放置台具有用于吸附被处理基板的静电吸盘部(8)和保持静电吸盘部(8)的基台部(7)，基台部(7)具有高度较高的凸部(72)和在凸部(72)的周围位于比凸部(72)低规定高度的位置上的外周面(71)，在外周面(71)上通过层叠膜厚与凸部(72)和外周面(71)的高度之差相等的喷涂膜(76)，而以凸部(72)和喷涂膜(76)的面相连的方式形成为平坦面，在绝缘性部件(81)、(83)、(84)之间配设电极(82)而构成静电吸盘部(8)，在基台部(7)上用粘结剂(9)固定静电吸盘部(8)，使得其覆盖凸部(72)的上表面和喷涂膜(76)的面的边界。
-
公开(公告)号：CN101074473A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
-
公开(公告)号：CN101074473B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710100607.7
申请日：2007-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C26/00
Abstract: 本发明谋求在强腐蚀性环境下，提高进行等离子体蚀刻加工的半导体加工用装置等的容器内配设的部件的耐久性。提供一种陶瓷覆盖部件，在金属制或非金属制基材表面，直接具有或隔着底涂层具有由周期表IIIB族氧化物的喷镀膜构成的多孔质层，在该层上，形成有通过照射处理电子束或激光束等高能量形成的二次再结晶层。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
