公开(公告)号：CN111863691B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202010299562.6

申请日：2020-04-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荒金俊行 ,  纲本哲 ,  大﨑良规 ,  佐藤雅纪

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种除电方法和基片处理装置。除电方法包括：在静电吸盘上载置有基片的状态下向处理容器内导入气体的步骤；一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电的步骤；在基于所述气体的放电开始后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值的步骤；和施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离的步骤。本发明能够对基片的残留吸附进行充分的除电。

公开(公告)号：CN111863691A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010299562.6

申请日：2020-04-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荒金俊行 ,  纲本哲 ,  大﨑良规 ,  佐藤雅纪

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种除电方法和基片处理装置。除电方法包括：在静电吸盘上载置有基片的状态下向处理容器内导入气体的步骤；一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电的步骤；在基于所述气体的放电开始后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值的步骤；和施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离的步骤。本发明能够对基片的残留吸附进行充分的除电。

公开(公告)号：CN102446728A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110303695.7

申请日：2011-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大﨑良规 ,  高桥哲朗 ,  前川浩治

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/67

Abstract: 抑制由从通过等离子体氮化处理所形成的氧化氮化硅膜的N脱落造成的膜中氮浓度的降低，将被处理体间、组间的氮浓度的波动降到最小限度。绝缘膜的改性方法中，进行对在被处理体的表面露出的氧化硅膜进行等离子体氮化处理，形成氧化氮化硅膜的氮化处理工序，和对上述氧化氮化硅膜的表面进行氧化处理的改性工序，从氮化处理工序结束到上述改性工序开始之间，维持真空气氛。另外，在将氮化处理工序刚结束后的氧化氮化硅膜的膜中氮浓度设为NC0、将改性工序后的氧化氮化硅膜的膜中氮浓度的目标值设为NCT时，进行等离子体氮化处理使得NC0＞NCT。