公开(公告)号：CN118460988A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410128731.8

申请日：2024-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 京兼广和 ,  田中谕志

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  G01B11/06 ,  G01B21/08

Abstract: 本发明提供能够高效率并且高精度地测量基片的膜厚的基片处理系统和膜厚测量方法。基片处理系统包括：基片支承部，其用于支承基片的外缘部，基片具有第一面和作为该第一面的相反面的第二面；处理容器，其用于收纳基片和基片支承部，来对基片进行基片处理；基片输送部，其用于输送进行了基片处理的基片。另外，基片处理系统包括：测量部，其设置在基片输送部输送基片的输送路径，用于测量与层叠在第二面上的膜的膜厚相关的指标；和膜厚推算部，其基于测量出的与第二面的膜的膜厚相关的指标来计算第二面的膜的膜厚，并基于计算出的第二面的膜的膜厚来计算层叠在第一面上的膜的膜厚。

公开(公告)号：CN116261737A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202280005913.5

申请日：2022-10-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高良穣二 ,  佐藤秀彦 ,  木村友里 ,  京兼广和

IPC: G06N20/00

Abstract: 缩短直到取得蚀刻质量的检查结果为止的时间。蚀刻处理系统包括：预测部，通过将预测对象的基板的图像数据输入到通过使用学习用数据进行学习而得到的学习完成模型，从而对预测对象的基板的蚀刻质量进行预测，所述学习用数据通过将由布置在基板的输送路径上的摄像装置拍摄的所述基板的图像数据与用于对所述基板的蚀刻质量进行预测的信息相关联而得到。