磁记录介质
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1143239A

    公开(公告)日:1997-02-19

    申请号:CN95118445.8

    申请日:1995-09-14

    CPC classification number: G11B5/73 Y10S428/90 Y10T428/24355 Y10T428/31725

    Abstract: 本发明涉及磁记录介质,其中在由芳香族聚酰胺制成的基底薄膜的至少一面上设置磁性层,其特征在于该基底薄膜至少一个方向上的拉伸杨氏模量为700kg/mm2以上,二氯甲烷提取物含量在0.5%以下,该基底薄膜纵长方向上每1mm2施加1kg负荷时,在100℃下,10分钟内尺寸变化率在2%以下,提供了一种在恶劣的环境下运行性、耐用性优异的磁记录介质。

    磁性记录介质
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1136545C

    公开(公告)日:2004-01-28

    申请号:CN95190579.1

    申请日:1995-06-21

    Abstract: 本发明是在用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺制成的片基一面涂敷磁性层的磁性记录介质。本发明是关于以满足以下指标为特征的磁性记录介质;其片基涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数H2、非磁性层一面的表面粗大突起个数H3满足:H2≤50;2≤H3≤100;同时,该片基在20℃下的至少一个方向杨氏拉伸模量E20和在100℃下的同方向杨氏拉伸模量E100满足:E20≥800kg/mm2;0.5≤E100/E20。本发明提供在严酷环境下(特别是高温下)具有优异的耐久性、运行特性和输出特性的磁性记录介质。

    磁记录介质
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1069775C

    公开(公告)日:2001-08-15

    申请号:CN95118445.8

    申请日:1995-09-14

    CPC classification number: G11B5/73 Y10S428/90 Y10T428/24355 Y10T428/31725

    Abstract: 本发明涉及磁记录介质,其中在由芳香族聚酰胺制成的基底薄膜的至少一面上设置磁性层,其特征在于该基底薄膜至少一个方向上的拉伸杨氏模量为700kg/mm2以上,二氯甲烷提取物含量在0.5%以下,该基底薄膜纵长方向上每1mm2施加1kg负荷时,在100℃下、10分钟内尺寸变化率在2%以下,提供了一种在恶劣的环境下运行性、耐用性优异的磁记录介质。

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