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公开(公告)号：CN1172126A
公开(公告)日：1998-02-04
申请号：CN97110247.3
申请日：1997-02-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , C08J2377/10 , C08J2379/08 , G11B5/733 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/24372 , Y10T428/24992 , Y10T428/25 , Y10T428/265 , Y10T428/31725
Abstract: 本发明提供移行性和耐擦痕性优良的、作为磁记录介质时的S/N之比良好的薄膜。一种以芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺为主成分、并在该成分中含有粒子的薄膜,在该膜的至少一面,粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax,比dmax深从表面到1μm的范围内的粒子浓度显示最小值或极小值的深度作为dmin,比dmax深粒子浓度分布曲线的1次微分值显示负的变曲点的深度作为d”,在各深度的粒子浓度作为λρ(d)时,要满足下式:10nm≤dmax≤300nm(1);3≤ρ(dmax)/ρ(dmin)≤100(2)或者10nm≤dmax≤300nm(3);3≤ρ(dmax)/ρ(d”)≤100(4);ρ(dmax)/ρ(dmin)>100(5);作为其特征的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜。
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公开(公告)号：CN1143239A
公开(公告)日：1997-02-19
申请号：CN95118445.8
申请日：1995-09-14
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G11B5/704
CPC classification number: G11B5/73 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/31725
Abstract: 本发明涉及磁记录介质，其中在由芳香族聚酰胺制成的基底薄膜的至少一面上设置磁性层，其特征在于该基底薄膜至少一个方向上的拉伸杨氏模量为700kg/mm2以上，二氯甲烷提取物含量在0.5％以下，该基底薄膜纵长方向上每1mm2施加1kg负荷时，在100℃下，10分钟内尺寸变化率在2％以下，提供了一种在恶劣的环境下运行性、耐用性优异的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN1757130A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480006115.6
申请日：2004-03-05
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01M8/04186 , C09K5/20 , H01B1/122 , H01M4/8605 , H01M4/92 , H01M8/1004 , H01M8/1009 , H01M8/1027 , H01M8/1034 , H01M8/1067 , H01M8/1088 , Y02P70/56
Abstract: 本发明的目的在于，提供质子传导性优异、且燃料阻断性也优异的高分子电解质材料，进而提供高效率的高分子电解质型燃料电池。即，本发明是一种高分子电解质材料，在含水状态下，下述式(S1)所示的不冻水的比例Rw1为20～100重量％，Rw1＝[Wnf/(Wfc+Wnf)]×100……(S1)Wnf：每1克干燥重量的高分子电解质材料中的不冻水的量Wfc：每1克干燥重量的高分子电解质材料中的低熔点水的量。
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公开(公告)号：CN1226851A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：CN98800672.3
申请日：1998-03-19
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , B29C55/146 , B29D7/01 , B29K2077/10 , C08J2377/00 , C08J2377/10 , G11B5/73 , Y10S428/90 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , Y10T428/31721 , Y10T428/8305
Abstract: 本发明提供芳族聚酰胺膜和在该膜的一面设有磁性层的磁记录媒体,本发明膜的特征在于:在80kg/cm2的负荷下,220℃的横向热收缩率为0.2～8%,设有磁性层面的相反面的十点平均粗糙度Rz为10～200纳米。使用高温热收缩率及表面性质在上述范围内的膜可以得到卷曲小、平坦性好的磁记录媒体。
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公开(公告)号：CN1197056C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01101686.8
申请日：2001-01-18
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G11B5/7315 , G11B5/64 , G11B5/70 , G11B5/7325 , G11B5/733 , G11B5/735 , Y10T428/24355 , Y10T428/24975 , Y10T428/31725
Abstract: 磁记录介质，以芳族聚酰胺为主成分的基膜的至少一面上直接设置的磁性层表面10nm以上的突起数Na(10)(个/mm2)、50nm以上的突起数Na(50)(个/mm2)及基膜磁性层设置侧的同一面上10nm以上突起数Na(10)’(个/mm2)满足：2×104≤Na(10)≤2×107、0≤Na(50)≤5×104、-0.9≤(Na(10)-Na(10)’)/Na(10)’≤0。高刚性芳族聚酰胺膜为非磁性支持体，磁性层表面和基膜表面特性为特定、总厚薄且高记录容量、走带耐久性好、记录·读出可靠性高，可很好地适用于计算机数据记录。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1136545C
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN95190579.1
申请日：1995-06-21
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G11B5/73
CPC classification number: G11B5/733 , G11B5/73 , G11B5/738 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/31721 , Y10T428/31725
Abstract: 本发明是在用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺制成的片基一面涂敷磁性层的磁性记录介质。本发明是关于以满足以下指标为特征的磁性记录介质；其片基涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数H2、非磁性层一面的表面粗大突起个数H3满足：H2≤50；2≤H3≤100；同时，该片基在20℃下的至少一个方向杨氏拉伸模量E20和在100℃下的同方向杨氏拉伸模量E100满足：E20≥800kg/mm2；0.5≤E100/E20。本发明提供在严酷环境下(特别是高温下)具有优异的耐久性、运行特性和输出特性的磁性记录介质。
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公开(公告)号：CN1308318A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN01101686.8
申请日：2001-01-18
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G11B5/7315 , G11B5/64 , G11B5/70 , G11B5/7325 , G11B5/733 , G11B5/735 , Y10T428/24355 , Y10T428/24975 , Y10T428/31725
Abstract: 磁记录介质,以芳族聚酰胺为主成分的基膜的至少一面上直接设置的磁性层表面10nm以上的突起数Na(10)(个/mm2)、50nm以上的突起数Na(50)(个/mm2)及基膜磁性层设置侧的同一面上10nm以上突起数Na(10)’(个/mm2)满足:2×104≤Na(10)≤2×107、0≤Na(50)≤5×104、－0.9≤(Na(10)－Na(10)’)/Na(10)’≤0。高刚性芳族聚酰胺膜为非磁性支持体,磁性层表面和基膜表面特性为特定、总厚薄且高记录容量、走带耐久性好、记录、读出可信度高,可计算机数据记录用。
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公开(公告)号：CN1069775C
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN95118445.8
申请日：1995-09-14
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G11B5/73
CPC classification number: G11B5/73 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/31725
Abstract: 本发明涉及磁记录介质，其中在由芳香族聚酰胺制成的基底薄膜的至少一面上设置磁性层，其特征在于该基底薄膜至少一个方向上的拉伸杨氏模量为700kg/mm2以上，二氯甲烷提取物含量在0.5%以下，该基底薄膜纵长方向上每1mm2施加1kg负荷时，在100℃下、10分钟内尺寸变化率在2%以下，提供了一种在恶劣的环境下运行性、耐用性优异的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN1066750C
公开(公告)日：2001-06-06
申请号：CN97110247.3
申请日：1997-02-27
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , C08J2377/10 , C08J2379/08 , G11B5/733 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/24372 , Y10T428/24992 , Y10T428/25 , Y10T428/265 , Y10T428/31725
Abstract: 本发明提供移行性和耐擦痕性优良的、作为磁记录介质时的S/N之比良好的薄膜。一种以芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺为主成分、并在该成分中含有粒子的薄膜，在该膜的至少一面，粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax，比dmax深从表面到1μm的范围内的粒子浓度显示最小值或极小值的深度作为dmin，比dmax深粒子浓度分布曲线的1次微分值显示负的变曲点的深度作为d”，在各深度的粒子浓度作为ρ(d)时，要满足下式：10nm≤dmax≤300nm(1)3≤ρ(dmax)/ρ(dmin)≤100(2)或者10nm≤dmax≤300nm(3)3≤ρ(dmax)/ρ(d”)≤100(4)ρ(dmax)/ρ(dmin)>100(5)作为其特征的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜。
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公开(公告)号：CN1129991A
公开(公告)日：1996-08-28
申请号：CN95190579.1
申请日：1995-06-21
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G11B5/704
CPC classification number: G11B5/733 , G11B5/73 , G11B5/738 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/24942 , Y10T428/31721 , Y10T428/31725
Abstract: 本发明是在用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺制成的片基一面涂敷磁性层的磁性记录介质。本发明是关于以满足以下指标为特征的磁性记录介质：其片基涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数H2、非磁性层一面的表面粗大突起个数H3满足：H2≤502≤H3≤100同时，该片基在20℃下的至少一个方向杨氏拉伸模量E20和在100℃下的同方向杨氏拉伸模量E100满足：E20≥800kg/mm20.5≤E100/E20。本发明提供在严酷环境下(特别是高温下)具有优异的耐久性、运行特性和输出特性的磁性记录介质。
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