-
公开(公告)号：CN103415480A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280011814.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C03C8/24 , C09D1/00 , C09D201/00 , H01B3/00 , H01J9/02 , H01J11/22 , H01J11/34 , H01J29/87 , H01J31/15
Abstract: 本发明的课题是提供能够形成残留有机物少的隔壁的糊料、和具有该隔壁的可靠性高的平面显示器面板。于是提供了一种糊料，其含有软化点570～620℃的低软化点玻璃粉末和有机成分，在将所述低软化点玻璃粉末中的氧化硅含有率设为X(SiO2)(摩尔％)、将氧化硼含有率设为X(B2O3)(摩尔％)、将碱金属氧化物含有率设为X(M2O)(摩尔％)、将碱土金属氧化物含有率设为X(MO)(摩尔％)、将氧化锌含有率设为X(ZnO)(摩尔％)时，满足下述（1）～（3）：A＝X(SiO2)＋X(B2O3)－X(M2O)=35～46 (1)；B＝X(ZnO)=1.5～5.5 (2)；C＝X(M2O)＋X(MO)＋X(ZnO)=24～30 (3)。
-
公开(公告)号：CN113646899B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080024545.X
申请日：2020-03-06
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H10K10/00 , H10K85/20
Abstract: 本発明的课题是提以简便的工艺供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件。本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层满足下述A或B，A.含有化合物(a)和高分子(b)，所述化合物(a)具有至少1个通式(1)表示的基团和至少1个通式(2)表示的基团分别与1个碳‑碳双键或1个共轭体系直接键合的结构，B.含有下述高分子，所述高分子在其分子结构中含有从化合物(a)的R1、R2、R3或R4除去一部分氢原子而得的残基或者含有从化合物(a)的碳‑碳双键或共轭体系除去一部分氢原子而得的残基。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN116507944A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202180076824.5
申请日：2021-12-17
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G01T1/20
Abstract: 一种闪烁体面板，其具有基板、形成在上述基板上的格子状的间隔壁、被上述间隔壁区划了的单元内的荧光体层、和包围上述荧光体层的侧面部和底部的反射层，所述闪烁体面板具有包围上述荧光体层的侧面部的反射层为曲面的部分、和上述荧光体层的侧面部的反射层的彼此对置的面为大致平行的部分，上述荧光体的底部的反射层的为曲面的部分、与为平坦的部分在宽度方向上的比为10.0：0～1.0：9.0。使闪烁体面板的亮度提高。
-
-
公开(公告)号：CN113646900B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080024703.1
申请日：2020-03-06
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的课题是以简便的工艺提供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件，本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层含有(a)真空中的电离电位为7.0eV以下的化合物和(b)高分子。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107407870B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201680014153.9
申请日：2016-03-28
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明提供一种感光性树脂组合物，能获得微细图案的分辨性，并且能同时抑制基板上的残渣。该感光性树脂组合物含有导电性粒子(A)、碱溶性树脂(B)及有机锡化合物(C)，上述导电性粒子(A)的一次粒径为0.7μm以下。
-
公开(公告)号：CN103563006A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280025379.0
申请日：2012-05-25
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G21K4/00 , C03C3/00 , C03C3/066 , C03C12/00 , C03C17/007 , C03C17/009 , C03C2217/445 , C03C2217/475 , G01T1/20
Abstract: 闪烁体面板，其为具备闪烁体层的闪烁体面板，所述闪烁体层包含平板状的基板、在该基板上设置的格子状的隔壁、以及在由前述隔壁划分而成的单元内填充的荧光体，前述隔壁是通过以含有2~20质量%碱金属氧化物的低熔点玻璃为主要成分的材料构成的。本发明提供高精度且大面积地形成宽度窄的隔壁、发光效率高、实现鲜明画质的闪烁体面板。
-
公开(公告)号：CN113646899A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080024545.X
申请日：2020-03-06
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本発明的课题是提以简便的工艺供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件。本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层满足下述A或B，A.含有化合物(a)和高分子(b)，所述化合物(a)具有至少1个通式(1)表示的基团和至少1个通式(2)表示的基团分别与1个碳‑碳双键或1个共轭体系直接键合的结构，B.含有下述高分子，所述高分子在其分子结构中含有从化合物(a)的R1、R2、R3或R4除去一部分氢原子而得的残基或者含有从化合物(a)的碳‑碳双键或共轭体系除去一部分氢原子而得的残基。
-
公开(公告)号：CN113646900A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080024703.1
申请日：2020-03-06
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的课题是以简便的工艺提供具有高n型半导体特性且稳定性优异的n型半导体元件，本发明的n型半导体元件具备：基材、源电极、漏电极和栅电极、与所述源电极和漏电极这两者接触的半导体层、使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层、以及在所述半导体层的与所述栅绝缘层相反一侧与所述半导体层接触的第2绝缘层，其特征在于，所述半导体层含有纳米碳，所述第2绝缘层含有(a)真空中的电离电位为7.0eV以下的化合物和(b)高分子。
-
公开(公告)号：CN107407870A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680014153.9
申请日：2016-03-28
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/038 , G06F3/041 , H01B1/24 , H01B5/14 , H01B13/00 , H05K1/09 , H05K3/02
Abstract: 本发明提供一种感光性树脂组合物，能获得微细图案的分辨性，并且能同时抑制基板上的残渣。该感光性树脂组合物含有导电性粒子(A)、碱溶性树脂(B)及有机锡化合物(C)，上述导电性粒子(A)的一次粒径为0.7μm以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.026 seconds)
