公开(公告)号：CN1311570C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN02105638.2

申请日：2002-01-31

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 藤森茂雄 ,  北村义之 ,  金森浩充 ,  池田武史 ,  冈哲雄

IPC: H01L51/56 ,  H05B33/10 ,  C23C14/04 ,  G09F9/00

Abstract: 一种组合掩模，包括多个沉积掩模，每个具有沉积缝隙阵列的沉积掩模相应于沉积图案形成；和其上沉积掩模被排列的具有多个开口的基板被提供。沉积掩模通过接合单元以可脱离的方式被保持到基板上，和用来在基板上定位沉积掩模的对准标记被形成在基板上。另外，提供了用于制造组合掩模的方法和设备，用于使用组合掩模制造有机EL装置的方法和设备，和有机EL装置。

公开(公告)号：CN1315898A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN99810343.8

申请日：1999-08-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  桥阪和彦 ,  冈哲雄

IPC: B24B37/00

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/28

Abstract: 本发明涉及抛光垫,其特征在于,微橡胶A硬度为80度以上,具有平均气泡直径为1000μm以下的气泡,而且密度为0.4－1.1的范围,含有聚氨酯和乙烯基化合物聚合得到的聚合物。本发明涉及的抛光垫,在使半导体基板的局部性的凹凸平整时,抛光速度快,全台阶状变形小,难于产生金属布线上的洼变,难于产生堵塞及表面部分的应变,抛光速度稳定。

公开(公告)号：CN1099939C

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN99814332.4

申请日：1999-11-05

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  南口尚士 ,  冈哲雄

IPC: B24B37/00

CPC classification number: B24B37/24 ,  Y10S438/959

Abstract: 本发明涉及抛光装置，其特征在于，微橡胶A硬度为80度以上的抛光层和体积弹性模量为40MPa以上而且拉伸弹性模量为0.1MPa以上20MPa以下的缓冲层的抛光垫、以及将半导体基板固定于抛光头，在抛光平台上固定该抛光垫，使抛光层与半导体基板相对，使所述抛光头或抛光平台或其双方旋转，抛光所述半导体基板。根据本发明，在通过抛光使形成于半导体基板上的绝缘层或金属布线的表面平滑的机械性的平坦化工序中使用的抛光装置或抛光垫中，可以实现使半导体基板整面均匀平坦化甚至在接近晶片边缘处均匀地抛光，而且可以提供在压磨板高旋转速度的条件下、同时实现均匀性和平坦性的技术。

公开(公告)号：CN1378408A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN02105638.2

申请日：2002-01-31

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 藤森茂雄 ,  北村义之 ,  金森浩充 ,  池田武史 ,  冈哲雄

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/04 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L51/0011 ,  C23C14/042 ,  H01L27/32

Abstract: 一种组合掩模,包括多个沉积掩模,每个具有沉积缝隙阵列的沉积掩模相应于沉积图案形成;和其上沉积掩模被排列的具有多个开口的基板被提供。沉积掩模通过接合单元以可脱离的方式被保持到基板上,和用来在基板上定位沉积掩模的对准标记被形成在基板上。另外,提供了用于制造组合掩模的方法和设备,用于使用组合掩模制造有机EL装置的方法和设备,和有机EL装置。

公开(公告)号：CN1158165C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN99810343.8

申请日：1999-08-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  桥阪和彦 ,  冈哲雄

IPC: B24B37/00

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/28

Abstract: 本发明涉及抛光垫，其特征在于，微橡胶A硬度为80度以上，具有平均气泡直径为1000μm以下的气泡，而且密度为0.4-1.1的范围，含有聚氨酯和乙烯基化合物聚合得到的聚合物。本发明涉及的抛光垫，在使半导体基板的局部性的凹凸平整时，抛光速度快，全台阶状变形小，难于产生金属布线上的洼变，难于产生堵塞及表面部分的应变，抛光速度稳定。

公开(公告)号：CN1330581A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN99814332.4

申请日：1999-11-05

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 城邦恭 ,  南口尚士 ,  冈哲雄

IPC: B24B37/00

CPC classification number: B24B37/24 ,  Y10S438/959

Abstract: 本发明涉及抛光装置,其特征在于,微橡胶A硬度为80度以上的抛光层和体积弹性模量为40Mpa以上而且拉伸弹性模量为0.1Mpa以上20Mpa以下的缓冲层的抛光垫、以及将半导体基板固定于抛光头,在抛光平台上固定该抛光垫,使抛光层与半导体基板相对,使所述抛光头或抛光平台或其双方旋转,抛光所述半导体基板。根据本发明,在通过抛光使形成于半导体基板上的绝缘层或金属布线的表面平滑的机械性的平坦化工序中使用的抛光装置或抛光垫中,可以实现使半导体基板整面均匀平坦化甚至在接近晶片边缘处均匀地抛光,而且可以提供在压磨板高旋转速度的条件下、同时实现均匀性和平坦性的技术。