基于SRAM FPGA的星载抗单粒子效应加固方法

    公开(公告)号:CN113296820A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110682832.6

    申请日:2021-06-18

    Abstract: 本申请提供了一种基于SRAM FPGA的星载抗单粒子效应加固方法,所述方法包括以下步骤:S1、目标FPGA端建立SEM核,并创建串/并转换模块和SEM状态监测模块,生成配置程序文件;S2、反熔丝FPGA通过RS422接口接收和存储配置程序,将配置程序同时存入三个具有相同映射地址的配置区中;S3、通过反熔丝FPGA对目标FPGA进行加载,包括:分别从三个不同的配置区读取相同的数据,并进行比对;S4、反熔丝FPGA对SEM核进行监控,对发生单粒子翻转的数据帧进行替换。

    基于SRAM FPGA的星载抗单粒子效应加固方法

    公开(公告)号:CN113296820B

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202110682832.6

    申请日:2021-06-18

    Abstract: 本申请提供了一种基于SRAM FPGA的星载抗单粒子效应加固方法,所述方法包括以下步骤:S1、目标FPGA端建立SEM核,并创建串/并转换模块和SEM状态监测模块,生成配置程序文件;S2、反熔丝FPGA通过RS422接口接收和存储配置程序,将配置程序同时存入三个具有相同映射地址的配置区中;S3、通过反熔丝FPGA对目标FPGA进行加载,包括:分别从三个不同的配置区读取相同的数据,并进行比对;S4、反熔丝FPGA对SEM核进行监控,对发生单粒子翻转的数据帧进行替换。

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