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公开(公告)号：CN101597797B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200910054213.1
申请日：2009-06-30
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开了一种掺镱硼酸钆锂激光晶体及其制备方法，该掺镱硼酸钆锂激光晶体的化学式为Li6YbxGd1-xB3O9，其中x的值为0＜x≤0.3。本发明还提供了所述掺镱硼酸钆锂激光晶体的制备方法，包括如下步骤：晶体生长原料的配取、晶体生长原料的合成和提拉法制备单晶。本发明的掺镱硼酸钆锂激光晶体具有较大的吸收半峰宽和发射半峰宽，有利于LD泵浦激光的输出，并且有利于产生超快激光脉冲，是一种潜在的新型超快激光晶体，为工程化应用提供了良好的基础。
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公开(公告)号：CN101597798A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910054214.6
申请日：2009-06-30
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明属于闪烁晶体材料领域，具体涉及一种共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法，该共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体的化学式为：Li6CexNyGd1－x－yB3O9－δ/2Mδ，其中，M选自以下元素中的一种或两种：F、Cl、Br和I；N选自以下元素中的一种或两种：Sc、Y、La和Lu；所述Li元素、Gd元素和B元素中的至少一种以特殊同位素的形式存在；其中0＜x≤0.2，0≤y＜1，0≤δ≤0.1，且y和δ不同时为0，其制备方法为：原料经过混合、固相合成、化料，在单晶生长炉中通过提拉法生长制备成单晶形态。本发明共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体以Ce3+离子为发光中心，锂、钆和硼元素是以锂－6、钆－155、钆－157或硼－10同位素的一种或其组合的形式存在，起到与被探测中子产生核反应的作用。
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公开(公告)号：CN101597798B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200910054214.6
申请日：2009-06-30
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明属于闪烁晶体材料领域，具体涉及一种共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法，该共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体的化学式为：Li6CexNyGd1-x-yB3O9-δ/2Mδ，其中，M选自以下元素中的一种或两种：F、Cl、Br和I；N选自以下元素中的一种或两种：Sc、Y、La和Lu；所述Li元素、Gd元素和B元素中的至少一种以特殊同位素的形式存在；其中0＜x≤0.2，0≤y＜1，0≤δ≤0.1，且y和δ不同时为0，其制备方法为：原料经过混合、固相合成、化料，在单晶生长炉中通过提拉法生长制备成单晶形态。本发明共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体以Ce3+离子为发光中心，锂、钆和硼元素是以锂-6、钆-155、钆-157或硼-10同位素的一种或其组合的形式存在，起到与被探测中子产生核反应的作用。
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公开(公告)号：CN101597797A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910054213.1
申请日：2009-06-30
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开了一种掺镱硼酸钆锂激光晶体及其制备方法，该掺镱硼酸钆锂激光晶体的化学式为Li6YbxGd1－xB3O9，其中x的值为0＜x≤0.3。本发明还提供了所述掺镱硼酸钆锂激光晶体的制备方法，包括如下步骤：晶体生长原料的配取、晶体生长原料的合成和提拉法制备单晶。本发明的掺镱硼酸钆锂激光晶体具有较大的吸收半峰宽和发射半峰宽，有利于LD泵浦激光的输出，并且有利于产生超快激光脉冲，是一种潜在的新型超快激光晶体，为工程化应用提供了良好的基础。
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公开(公告)号：CN101597796A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910054212.7
申请日：2009-06-30
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开了一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，涉及晶体生长领域。该方法为将晶体生长原料采用提拉法生长，其中，所述硼酸钆锂晶体的化学式为Li6CexGd1－xB3O9，x的取值范围是0＜x≤0.1；采用提拉法生长时，选用下半部分为弧形或者锥形底部的异型坩埚作为生长坩埚。本发明通过使用异型坩埚及后加热装置，克服了使用普通圆筒型坩埚的提拉法生长硼酸钆锂晶体易出现凹界面或难以长成大直径的缺点。用该方法生长出的晶体具有尺寸大、光学质量高等优点，可用于中子探测，还可以用来探测α、β、γ射线等。
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公开(公告)号：CN101597796B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910054212.7
申请日：2009-06-30
申请人： 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明公开了一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，涉及晶体生长领域。该方法为将晶体生长原料采用提拉法生长，其中，所述硼酸钆锂晶体的化学式为Li6CexGd1-xB3O9，x的取值范围是0＜x≤0.1；采用提拉法生长时，选用下半部分为弧形或者锥形底部的异型坩埚作为生长坩埚。本发明通过使用异型坩埚及后加热装置，克服了使用普通圆筒型坩埚的提拉法生长硼酸钆锂晶体易出现凹界面或难以长成大直径的缺点。用该方法生长出的晶体具有尺寸大、光学质量高等优点，可用于中子探测，还可以用来探测α、β、γ射线等。
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公开(公告)号：CN102268734A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010189194.6
申请日：2010-06-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及闪烁晶体或荧光粉体材料领域，提供了一种镨铈掺杂焦硅酸镥闪烁晶体或荧光粉及其制备方法，该材料的化学式为(Lu1-x-yCexPry)2Si2O7，其中：x＝0.0001～0.05，y＝0.0001～0.05。本发明在发光材料铈掺杂焦硅酸镥中额外添加Pr3+离子，通过浮区法、提拉法以及高温固相法分别合成了镨铈掺杂焦硅酸镥闪烁单晶和荧光粉，与不掺Pr3+的铈掺杂焦硅酸镥闪烁晶体或荧光粉相比，掺杂Pr3+后的铈掺杂焦硅酸镥的发光效率可以提高40～80％，明显提高了铈掺杂焦硅酸镥材料的发光效率。
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公开(公告)号：CN102021651A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910195565.9
申请日：2009-09-11
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及晶体领域，具体涉及一种铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体的化学式为：Li6Gd1-x-yYxCey(BO3)3，其中x的取值范围为0～0.9999，y的取值范围为0.0001～0.1。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体通过以电负性及离子半径相近，而原子序数相对更小的元素Y来部分置换Gd元素，优化了硼酸钆锂晶体对于中子的探测性能，并降低了晶体制备的原料成本。本发明的下降法制备具有工艺设备简单，操作方便，能耗低，生长效率高、成本低可实现工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN101665982A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910196441.2
申请日：2009-09-25
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明属于无机化合物晶体及制造技术领域，具体涉及一种焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法。本发明的生长方法包括：原料的合成，熔料，接种，生长和降温四个步骤，其中，晶体生长完毕后的降温过程中，在相变点温度以上时，降温速率为30～50℃/分钟，在相变点温度以下时，降温速率为100～200℃/小时。本发明的生长方法解决了YPS晶体生长过程中非一致熔融的问题和相变的问题，可以获得晶体质量较好的YPS高温δ相单晶。
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公开(公告)号：CN104357911A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410742436.8
申请日：2014-12-08
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： C30B29/32 , C30B11/00 , C30B11/006
摘要： 本发明涉及一种采用坩埚下降法制备钼酸钙晶体，制备方法包括：将CaMoO4密封于坩埚进行坩埚下降法生长，得到钼酸钙晶体，其中，采用坩埚下降法生长时，晶体生长温度为1400~1520℃，晶体生长时坩埚下降速度为0.05~2mm/小时，降温速率为≤2℃/小时。
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