发明授权
CN101597796B 硼酸钆锂晶体的晶体生长方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 硼酸钆锂晶体的晶体生长方法
- 专利标题(英): Growing method of lithium gadolinium borate crystal
-
申请号: CN200910054212.7申请日: 2009-06-30
-
公开(公告)号: CN101597796B公开(公告)日: 2012-10-03
- 发明人: 潘尚可 , 杨帆 , 任国浩 , 丁栋舟 , 陆晟 , 张卫东
- 申请人: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市嘉定区城北路215号
- 专利权人: 上海硅酸盐研究所中试基地,中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 上海硅酸盐研究所中试基地,中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市嘉定区城北路215号
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 许亦琳; 余明伟
- 主分类号: C30B29/22
- IPC分类号: C30B29/22 ; C30B15/00
摘要:
本发明公开了一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法,涉及晶体生长领域。该方法为将晶体生长原料采用提拉法生长,其中,所述硼酸钆锂晶体的化学式为Li6CexGd1-xB3O9,x的取值范围是0<x≤0.1;采用提拉法生长时,选用下半部分为弧形或者锥形底部的异型坩埚作为生长坩埚。本发明通过使用异型坩埚及后加热装置,克服了使用普通圆筒型坩埚的提拉法生长硼酸钆锂晶体易出现凹界面或难以长成大直径的缺点。用该方法生长出的晶体具有尺寸大、光学质量高等优点,可用于中子探测,还可以用来探测α、β、γ射线等。
公开/授权文献
- CN101597796A 硼酸钆锂晶体的晶体生长方法 公开/授权日:2009-12-09
IPC分类: