公开(公告)号：CN116645089A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310527608.9

申请日：2023-05-11

Applicant: 上海电力大学

Inventor： 崔昊杨 ,  臧云帆 ,  江超 ,  杨程 ,  李嘉文 ,  李珂 ,  薛亮 ,  邵洁 ,  乐应波 ,  彭道刚 ,  江友华 ,  余恒文 ,  施凌鹏 ,  杜红卫

IPC: G06Q10/30 ,  H02J3/32 ,  H02J3/38 ,  G06F30/20 ,  G06N3/006 ,  G06F119/20 ,  G06F111/06 ,  G06F119/04 ,  G06F111/04 ,  G06F113/04

Abstract: 本发明涉及一种考虑退役电池容量退化的储能系统双层优化配置方法，属于新能源与储能协同规划技术领域。本方法包括建立以共享云储能的投资和运行成本作为优化目标，结合退役电池容量退化特性，预测共享储能的更新成本的双层优化模型；在双层优化模型外层利用遗传算法求解共享云储能的接入位置和容量等结果，之后内层随机产生不同时刻储能的充放电功率，并结合退役电池共享云储能内部约束进行修正，最终获得储能的最优运行策略。此方法可应用于含有大量分布式新能源发电的微电网内部，利用退役电池共享云储能的规模化建设思路降低储能系统的建设成本。

公开(公告)号：CN116527028A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310475620.X

申请日：2023-04-28

Applicant: 上海电力大学

Inventor： 崔昊杨 ,  伍娟 ,  杨程 ,  李嘉文 ,  李珂 ,  江超 ,  薛亮 ,  乐应波 ,  彭道刚 ,  余恒文

IPC: H03K17/04 ,  H03K17/687 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET的有源栅极驱动电路及方法，用于改善SiC MOSFET开关性能，属于电力电子领域。在传统栅极驱动CGD的基础上，AGD在特定瞬态开关阶段向栅极提供额外的驱动电流，加速SiC MOSFET的特定瞬态开关阶段，以致SiC MOSFET获得更高的开关速度和整个开关期间更低的开关损耗；在振荡阶段接入较大的栅极驱动电阻来减小振荡幅度从而减小EMI。与传统的固定驱动电压的栅极驱动器CGD相比，本发明AGD可以更有选择性地调节SiC MOSFET的开关轨迹，灵活度更高，并具有抑制过冲、振荡和降低损耗的能力，同时不影响EMI。