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公开(公告)号：CN110837196A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911106037.1
申请日：2019-11-13
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种耐光超分子有机晶体材料的制备方法，其特征在于，包括：将作为客体分子的有机晶体分子包合在主体分子空腔中，形成多分子包合物或单分子包合物，即得耐光超分子有机晶体材料。本发明的高耐光性超分子有机材料的方法明显提高了晶体的荧光强度，延长了晶体的荧光寿命，在皮秒泵浦激光强照射下可以长时间工作，拓宽了非线性有机晶体在光学应用领域的使用。
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公开(公告)号：CN105281043B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510794305.9
申请日：2015-11-18
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提供了种超宽频太赫兹波减反机构及超宽频太赫兹波吸收器,依据折射率渐变增透原理,将多层折射率顺序变化的复合材料层依次重叠组成减反机构,然后将其旋涂于低阻硅上。这器件可以工作在太赫兹全频段(0.1~30THz),大大的拓宽了之前的利用电磁超材料结构的周期排列的太赫兹吸收器的工作频宽;同时,由于减反机构可以在折射率为1.2~3.5的范围内任意调节,能够极大降低太赫兹波辐射的反射,并且此吸收器结构简单,制作方便,吸收率高,制作成本低。
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公开(公告)号：CN105281043A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510794305.9
申请日：2015-11-18
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明提供了一种超宽频太赫兹波减反机构及超宽频太赫兹波吸收器，依据折射率渐变增透原理，将多层折射率顺序变化的复合材料层依次重叠组成减反机构，然后将其旋涂于低阻硅上。这一器件可以工作在太赫兹全频段(0.1～30THz)，大大的拓宽了之前的利用电磁超材料结构的周期排列的太赫兹吸收器的工作频宽；同时，由于减反机构可以在折射率为1.2～3.5的范围内任意调节，能够极大降低太赫兹波辐射的反射，并且此吸收器结构简单，制作方便，吸收率高，制作成本低。
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公开(公告)号：CN107681054B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201710785843.0
申请日：2017-09-04
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法,先合成钙钛矿纳米颗粒，并将其溶解在有机溶剂中，并搅拌均匀，将溶液滴加到80～150℃的基板上使溶剂快速蒸发，使钙钛矿纳米颗粒均匀附着在基板上，然后将该基板置于封闭的培养皿中，使钙钛矿纳米颗粒暴露在良溶剂的饱和蒸气压环境中，在10～50℃下培养1~15天，钙钛矿晶体将沿着一维方向生长，从而得到纳米线材料。本方法包括在高温下溶剂蒸发时纳米晶体的迅速析出过程，以及在饱和蒸气压下培养皿中发生的纳米晶体的自组装过程。钙钛矿纳米线的大小随培养时间、基板材料的亲疏水性和培养温度的改变而改变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106222752A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610752773.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 上海理工大学
CPC classification number: C30B29/54 , C30B7/06 , G02F1/3551 , G02F1/3611
Abstract: 本发明公开了一种有机晶体薄膜的制备方法，将有机晶体原料、修饰剂溶解在有机溶剂中并搅拌均匀，然后将混合溶液滴加到50～150摄氏度的基板上使溶剂蒸发，蒸发时间控制在3分钟以内，然后将该基板置于封闭的培养皿中，使其在良溶剂的饱和蒸气压的环境下，在-30～50摄氏度培养1～30小时，有机晶体沿着二维方向生长，从而得到有机晶体薄膜。本方法包括在高温溶剂蒸发时晶体迅速析出过程，以及在饱和蒸气压下培养皿中发生的有机分子纳米颗粒通过毛细现象吸引后的自组装过程。晶体在与基板垂直的方向上生长受限，因此可以得到二维的有机晶体薄膜。有机晶体薄膜的大小随培养时间、基板材料的亲疏水性和培养温度的改变而改变。
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公开(公告)号：CN106222752B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610752773.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种有机晶体薄膜的制备方法，将有机晶体原料、修饰剂溶解在有机溶剂中并搅拌均匀，然后将混合溶液滴加到50～150摄氏度的基板上使溶剂蒸发，蒸发时间控制在3分钟以内，然后将该基板置于封闭的培养皿中，使其在良溶剂的饱和蒸气压的环境下，在‑30～50摄氏度培养1～30小时，有机晶体沿着二维方向生长，从而得到有机晶体薄膜。本方法包括在高温溶剂蒸发时晶体迅速析出过程，以及在饱和蒸气压下培养皿中发生的有机分子纳米颗粒通过毛细现象吸引后的自组装过程。晶体在与基板垂直的方向上生长受限，因此可以得到二维的有机晶体薄膜。有机晶体薄膜的大小随培养时间、基板材料的亲疏水性和培养温度的改变而改变。
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公开(公告)号：CN105970298B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610349073.0
申请日：2016-05-24
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备介观尺度线条状有机晶体的方法，将有机晶体原料、修饰剂溶解在第一有机溶剂中并搅拌均匀，然后将混合溶液滴加到50～150摄氏度的基板上进行蒸发，时间控制在5分钟以内，然后将该基板置于培养皿中培养5～20小时，有机晶体单方向生长，从而得到介观尺度线条状的有机晶体。本方法中，由于晶体析出的速度快，来不及聚合，溶液发生自组装过程，受加热基板材料的亲水性程度的影响，从而导致介观尺度线条状有机晶体的出现，而且介观尺度线条状有机晶体的大小方向根据修饰剂与有机晶体质量比、加热基板的温度和基板亲水性的改变而改变。
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公开(公告)号：CN107681054A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710785843.0
申请日：2017-09-04
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿晶体纳米线的制备方法,先合成钙钛矿纳米颗粒，并将其溶解在有机溶剂中，并搅拌均匀，将溶液滴加到80～150℃的基板上使溶剂快速蒸发，使钙钛矿纳米颗粒均匀附着在基板上，然后将该基板置于封闭的培养皿中，使钙钛矿纳米颗粒暴露在良溶剂的饱和蒸气压环境中，在10～50℃下培养1~15天，钙钛矿晶体将沿着一维方向生长，从而得到纳米线材料。本方法包括在高温下溶剂蒸发时纳米晶体的迅速析出过程，以及在饱和蒸气压下培养皿中发生的纳米晶体的自组装过程。钙钛矿纳米线的大小随培养时间、基板材料的亲疏水性和培养温度的改变而改变。
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公开(公告)号：CN105970298A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610349073.0
申请日：2016-05-24
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备介观尺度线条状有机晶体的方法，将有机晶体原料、修饰剂溶解在第一有机溶剂中并搅拌均匀，然后将混合溶液滴加到50～150摄氏度的基板上进行蒸发，时间控制在5分钟以内，然后将该基板置于培养皿中培养5～20小时，有机晶体单方向生长，从而得到介观尺度线条状的有机晶体。本方法中，由于晶体析出的速度快，来不及聚合，溶液发生自组装过程，受加热基板材料的亲水性程度的影响，从而导致介观尺度线条状有机晶体的出现，而且介观尺度线条状有机晶体的大小方向根据修饰剂与有机晶体质量比、加热基板的温度和基板亲水性的改变而改变。
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