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公开(公告)号：CN112778970B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110003323.6
申请日：2021-01-04
申请人： 上海晖研材料科技有限公司
IPC分类号： C09K3/14 , C09C1/00 , C09C3/12 , C09G1/02 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种制备表面改性的氧化铈颗粒及含其的抛光液的方法。表面改性的氧化铈颗粒的制备方法包括如下步骤，在如式I所示的改性剂的作用下，将氧化铈进行改性，得表面改性的氧化铈颗粒。本发明制备方法制备得到的改性氧化铈颗粒能够作为抛光液的磨粒，其能选择性抛光氧化硅膜，且抛光后表面粗糙度小。
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公开(公告)号：CN112680187A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110004108.8
申请日：2021-01-04
申请人： 上海晖研材料科技有限公司
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 本发明公开了一种表面改性的二氧化硅及含其的磨料组合物。本发明提供了一种表面改性的二氧化硅，其特征在于，其由下述制备方法制备得到：在溶剂中，将二氧化硅与硅烷偶联剂反应，得到表面改性的二氧化硅；所述的硅烷偶联剂为八氨苯基‑POSS和/或八氯丙基‑POSS。所述的表面改性的二氧化硅能极大提高多晶硅相对于硅氮化物的研磨选择性，提升对含Si材料的研磨速率，并且显著提高对钌的研磨速率。
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公开(公告)号：CN112662202B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110003324.0
申请日：2021-01-04
申请人： 上海晖研材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种表面改性的氧化铈颗粒及含其的抛光液。表面改性的氧化铈由氧化铈经如式I所示的改性剂改性得到。本发明表面改性的氧化铈颗粒可用作CMP磨粒，经表面改性后可降低氧化铈磨料的团聚，提高其在水中的分散性能并应用于化学机械抛光中，改善抛光后工件的表面质量。含有本发明表面改性的氧化铈的抛光液在氧化硅膜和氮化硅膜之间的抛光选择比较高，沟槽部的碟陷Dishing量较低，粗糙度均方根值RMS小。
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公开(公告)号：CN112778970A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110003323.6
申请日：2021-01-04
申请人： 上海晖研材料科技有限公司
IPC分类号： C09K3/14 , C09C1/00 , C09C3/12 , C09G1/02 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种制备表面改性的氧化铈颗粒及含其的抛光液的方法。表面改性的氧化铈颗粒的制备方法包括如下步骤，在如式I所示的改性剂的作用下，将氧化铈进行改性，得表面改性的氧化铈颗粒。本发明制备方法制备得到的改性氧化铈颗粒能够作为抛光液的磨粒，其能选择性抛光氧化硅膜，且抛光后表面粗糙度小。
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公开(公告)号：CN112758974A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110004090.1
申请日：2021-01-04
申请人： 上海晖研材料科技有限公司
IPC分类号： C01F17/235 , B82Y40/00 , C09K3/14
摘要： 本发明公开了一种氧化铈颗粒的制备方法，其包括以下步骤：氧化铈颗粒的前驱体材料经固体生成步骤制得二氧化铈粉末，将所述二氧化铈粉末与水混合，研磨，得含所述氧化铈颗粒的浆料；所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸为200‑500μm；所述氧化铈颗粒的拉曼光谱包含在458cm‑1处的峰和583cm‑1处的峰，且其中在458cm‑1处的峰的强度与在583cm‑1处的峰的强度的比率为峰比率，所述氧化铈颗粒的峰比率为70‑90。本发明通过控制氧化铈颗粒的颗粒峰比率、氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒尺寸在一定范围内，使得应用于STI的CMP制程时，具有优良的移除速率和选择性，且具有不引起微划痕或使微划痕数量最小化的能力。
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公开(公告)号：CN112680185A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110003364.5
申请日：2021-01-04
申请人： 上海晖研材料科技有限公司
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 本发明公开了一种表面改性的二氧化硅作为磨粒的应用。本发明提供了一种表面改性的二氧化硅作为磨粒的应用，其特征在于，所述表面改性的二氧化硅由下述制备方法制备得到：在溶剂中，将二氧化硅与硅烷偶联剂反应，得到表面改性的二氧化硅；所述的硅烷偶联剂为八氨苯基‑POSS和/或八氯丙基‑POSS。所述表面改性的二氧化硅能极大提高多晶硅相对于硅氮化物的研磨选择性，提升对含Si材料的研磨速率，并且显著提高对钌的研磨速率。
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公开(公告)号：CN112723405A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110004086.5
申请日：2021-01-04
申请人： 上海晖研材料科技有限公司
IPC分类号： C01F17/235 , C01F17/10 , C09G1/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种氧化铈颗粒及含其的抛光浆料。具体公开了一种氧化铈颗粒，所述氧化铈颗粒的前驱体材料的第一颗粒尺寸为200‑500μm；所述氧化铈颗粒的拉曼光谱包含在458cm‑1处的峰和583cm‑1处的峰，且其中在458cm‑1处的峰的强度与在583cm‑1处的峰的强度的比率为峰比率，所述氧化铈颗粒的峰比率为70‑90。本发明还公开了一种抛光浆料，所述抛光浆料包含所述氧化铈颗粒。本发明通过控制氧化铈颗粒的颗粒峰比率、氧化铈颗粒的前驱体材料的颗粒尺寸在一定范围内，使得应用于STI的CMP制程时，具有优良的移除速率和选择性，且具有不引起微划痕或使微划痕数量最小化的能力。
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公开(公告)号：CN112662202A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110003324.0
申请日：2021-01-04
申请人： 上海晖研材料科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种表面改性的氧化铈颗粒及含其的抛光液。表面改性的氧化铈由氧化铈经如式I所示的改性剂改性得到。本发明表面改性的氧化铈颗粒可用作CMP磨粒，经表面改性后可降低氧化铈磨料的团聚，提高其在水中的分散性能并应用于化学机械抛光中，改善抛光后工件的表面质量。含有本发明表面改性的氧化铈的抛光液在氧化硅膜和氮化硅膜之间的抛光选择比较高，沟槽部的碟陷Dishing量较低，粗糙度均方根值RMS小。
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公开(公告)号：CN112778911B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110010185.4
申请日：2021-01-04
申请人： 上海晖研材料科技有限公司
IPC分类号： C09C1/00 , C09G1/02 , C09C3/12 , H01L21/3105
摘要： 本发明公开了一种表面改性的氧化铈颗粒作为抛光液磨粒的应用。表面改性的氧化铈颗粒由氧化铈经如式I所示的改性剂改性得到。本发明的抛光液在氧化硅膜和氮化硅膜之间的抛光选择比较高，沟槽部的碟陷Dishing量较低，粗糙度均方根值RMS小。
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公开(公告)号：CN112778911A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110010185.4
申请日：2021-01-04
申请人： 上海晖研材料科技有限公司
IPC分类号： C09G1/02 , C09C1/00 , C09C3/12 , H01L21/3105
摘要： 本发明公开了一种表面改性的氧化铈颗粒作为抛光液磨粒的应用。表面改性的氧化铈颗粒由氧化铈经如式I所示的改性剂改性得到。本发明的抛光液在氧化硅膜和氮化硅膜之间的抛光选择比较高，沟槽部的碟陷Dishing量较低，粗糙度均方根值RMS小。
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