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公开(公告)号：CN115895792B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211413431.1
申请日：2022-11-11
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/722 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/26 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/37 , C11D3/60 , C11D11/00
摘要： 本发明公开了一种清洗液及试剂盒。该清洗液组合物及试剂盒包括下述质量分数的组分：醇胺、5‑20％羟胺、半胱氨酸、0.01‑0.05％水溶性高分子、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L81、0.01‑2％1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)以及水。本发明的清洗液及试剂盒：其可以清洗的残留物范围广；一般对曝露的基板材料、金属、金属氮化物无腐蚀性。
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公开(公告)号：CN116042331A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211414101.4
申请日：2022-11-11
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种清洗液的应用。所述的清洗液可用于移除集成电路湿制程清洗工艺中的刻蚀或灰化后残留物；所述的清洗液由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：醇胺、5‑20％羟胺、半胱氨酸、0.01‑0.05％水溶性高分子、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L81、0.01‑2％1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)以及水，水补足余量。本发明的清洗液可以清洗的残留物范围广，且一般对曝露的基板材料(例如，曝露的低k介质材料、金属氧化物、金属、金属氮化物及其合金)无腐蚀性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103728199B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410037569.5
申请日：2014-01-26
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： G01N5/00
摘要： 本发明公开了一种高纯铜中碳硫元素分析方法，该方法包含：步骤1，对高纯铜样品进行前处理；步骤2，上机测试：记录所称取的高纯铜样品质量m和所用助溶剂的质量m1，包含样品与助溶剂的总质量为m0，m0=m1+m，使用碳硫分析仪分别测定包含样品与助溶剂的总碳含量C碳0、总硫含量C硫0及助溶剂的碳含量C碳1、硫含量C硫1；步骤3，样品中的碳含量C碳按公式（1）计算：其中，样品中的硫含量C硫按公式（2）计算：从而完成碳硫元素分析。本发明提供的分析方法所用的仪器常规普通，检测成本低，周期短，能够准确检测出低含量（如小于1μg/g）的高纯铜中的碳硫含量，能够很好地控制高纯铜的质量，可以满足日益发展的半导体产业需求。
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公开(公告)号：CN103728199A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410037569.5
申请日：2014-01-26
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： G01N5/00
摘要： 本发明公开了一种高纯铜中碳硫元素分析方法，该方法包含：步骤1，对高纯铜样品进行前处理；步骤2，上机测试：记录所称取的高纯铜样品质量m和所用助溶剂的质量m1，包含样品与助溶剂的总质量为m0，m0=m1+m，使用碳硫分析仪分别测定包含样品与助溶剂的总碳含量C碳0、总硫含量C硫0及助溶剂的碳含量C碳1、硫含量C硫1；步骤3，样品中的碳含量C碳按公式（1）计算：其中，样品中的硫含量C硫按公式（2）计算：从而完成碳硫元素分析。本发明提供的分析方法所用的仪器常规普通，检测成本低，周期短，能够准确检测出低含量（如小于1μg/g）的高纯铜中的碳硫含量，能够很好地控制高纯铜的质量，可以满足日益发展的半导体产业需求。
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公开(公告)号：CN115710536B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211413424.1
申请日：2022-11-11
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/722 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/26 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/37 , C11D3/60 , C11D11/00 , C08F290/06 , C08F220/56 , C08F220/38
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公开(公告)号：CN115710536A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211413424.1
申请日：2022-11-11
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/722 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/26 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/37 , C11D3/60 , C11D11/00 , C08F290/06 , C08F220/56 , C08F220/38
摘要： 本发明公开了一种清洗液的制备方法。该制备方法包括如下步骤：将所述的清洗液中的各个组分混合，即得到所述的清洗液；所述的清洗液由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：醇胺、5‑20％羟胺、半胱氨酸、0.01‑0.05％水溶性高分子、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L81、0.01‑2％1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)以及水，水补足余量。采用本发明的清洗液的制备方法制得的清洗液可以清洗的残留物范围广，且一般对曝露的基板材料(例如，曝露的低k介质材料、金属氧化物、金属、金属氮化物及其合金)无腐蚀性。
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公开(公告)号：CN103102273B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210588714.X
申请日：2012-12-29
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C07C209/84 , C07C213/10 , C07C211/63
摘要： 本发明公开了一种有机胺类电镀添加剂的纯化方法，通过电去离子装置去除有机胺类电镀添加剂中的阴阳离子杂质；电去离子装置两端分别设有端板，端板上分别设有与直流电源相连的阴极或阳极，两块端板之间依次交替设置有若干平行的纯化室和浓水室，每个纯化室和浓水室之间分别通过阳离子交换膜或阴离子交换膜隔开；纯化室内填充有离子交换树脂，浓水室和极水室中分别加有0.3%-1%浓度的有机铵盐溶液；纯化室流量为1-100L/h，浓水室和极水室流量为1-100L/h；直流电源的电压为0-100V，纯化过程电压恒定并保持溶液温度为20-70℃；纯化后有机胺类电镀添加剂的回收率大于80%。本发明提供的有机胺类电镀添加剂的纯化方法，工艺简单易控，且纯化程度能够达到精细电子级标准。
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公开(公告)号：CN118725999A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310338753.2
申请日：2023-03-31
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种含氟化物晶圆表面处理液的应用。本发明的晶圆表面处理液可用于清洗刻蚀后的晶圆；该晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005％‑1％含氟化物、0.1％‑20％硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数和为100％；所述的有机溶剂补足余量。本发明的晶圆表面处理液处理晶圆之后，IPA接触角明显增大，在干燥过程中栅极间不会发生黏连，从而避免了栅极倒塌的发生。
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公开(公告)号：CN115895792A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211413431.1
申请日：2022-11-11
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/722 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/26 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/37 , C11D3/60 , C11D11/00
摘要： 本发明公开了一种清洗液及试剂盒。该清洗液组合物及试剂盒包括下述质量分数的组分：醇胺、5‑20％羟胺、半胱氨酸、0.01‑0.05％水溶性高分子、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L81、0.01‑2％1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)以及水。本发明的清洗液及试剂盒：其可以清洗的残留物范围广；一般对曝露的基板材料、金属、金属氮化物无腐蚀性。
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