公开(公告)号：CN101908472B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201010211441.8

申请日：2010-06-25

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  张正选 ,  邹世昌 ,  陈明 ,  毕大炜 ,  武爱民 ,  王湘 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。

公开(公告)号：CN102569061B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110454442.X

申请日：2011-12-30

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 毕大炜 ,  魏星 ,  陈明 ,  武爱民 ,  张正选 ,  黄辉祥

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种带有绝缘埋层的辐射加固材料的制备方法，包括步骤：提供器件衬底和支撑衬底；在所述器件衬底和支撑衬底的裸露表面分别生长第一、第二绝缘层；在所述第一绝缘层的裸露表面采用化学气相沉积工艺依次生长纳米晶体层和第三绝缘层以形成纳米晶体复合层；采用键合工艺将第二绝缘层的裸露表面键合至所述纳米晶体复合层的裸露表面。本发明还提供了上述材料，依次包括器件衬底、绝缘埋层和器件层，所述绝缘埋层包括第一绝缘层、第二绝缘层和纳米晶体复合层。本发明的优点为避免了传统的离子注入加固工艺对材料器件层晶格的注入损伤及注入元素在绝缘埋层中的高斯分布展宽及由此造成的绝缘埋层完整性破坏。

公开(公告)号：CN101901754B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010211448.X

申请日：2010-06-25

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  张正选 ,  邹世昌 ,  陈明 ,  毕大炜 ,  武爱民 ,  王湘 ,  李显元 ,  张苗 ,  王曦 ,  林成鲁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: 发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。

公开(公告)号：CN102569061A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110454442.X

申请日：2011-12-30

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 毕大炜 ,  魏星 ,  陈明 ,  武爱民 ,  张正选 ,  黄辉祥

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种带有绝缘埋层的辐射加固材料的制备方法，包括步骤：提供器件衬底和支撑衬底；在所述器件衬底和支撑衬底的裸露表面分别生长第一、第二绝缘层；在所述第一绝缘层的裸露表面采用化学气相沉积工艺依次生长纳米晶体层和第三绝缘层以形成纳米晶体复合层；采用键合工艺将第二绝缘层的裸露表面键合至所述纳米晶体复合层的裸露表面。本发明还提供了上述材料，依次包括器件衬底、绝缘埋层和器件层，所述绝缘埋层包括第一绝缘层、第二绝缘层和纳米晶体复合层。本发明的优点为避免了传统的离子注入加固工艺对材料器件层晶格的注入损伤及注入元素在绝缘埋层中的高斯分布展宽及由此造成的绝缘埋层完整性破坏。