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公开(公告)号：CN105734613B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201610297983.9
申请日：2016-05-06
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，具体为一种液相电沉积制备纳米银线的方法。本发明的具体步骤如下：以经过预处理的基体为阴极，以银片电极为阳极，以含有硝酸银和N‑甲基吡咯烷酮的去离子水混合溶液为电解液，采用恒压电解的方式，在100V～300V电压，30～60℃温度下进行电解，在基体表面即得到纳米银线薄膜；采用本方法可连续得到纳米银线且纯度高，直径为40～60nm，银线长度为4～15μm。
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公开(公告)号：CN105908235A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610301955.X
申请日：2016-05-09
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明涉及一种低电压电解有机物在铜基体表面生长DLC膜的方法，包括以下步骤：1)在室温条件下，对铜箔进行超声清洗，并将铜箔置于抛光液中进行抛光处理，然后用去离子水冲洗干净；2)以经过预处理的铜箔为阴极，以不锈钢片电极为阳极，以含有有机碳源的水溶液为电解液，采用恒压电解的方式进行电解，控制温度范围为30～70℃，直至在阴极收集到黑色碳薄膜，即为DLC膜，采用本发明得到的DLC膜为200nm左右含碳颗粒组成；本发明同现有技术相比，该方法具有制备条件设备简单、能耗低、成本低廉、成膜均一性好等优点，且原料来源丰富，扩大了DLC膜制备技术中有机碳源和基体的选择范围，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN105970245B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610300831.X
申请日：2016-05-09
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明涉及一种制备三氟化硼气体的装置，包括阳离子膜电解槽(3)、净化器(9)及气体收集装置(10)，阳离子膜电解槽(3)为采用阳离子膜(1)作为隔膜的双室电解槽，阳离子膜电解槽(3)内通过阳离子膜(1)隔为阴极室(11)和阳极室(12)，阴极室(11)、阳极室(12)均设有进料口和出料口，阳离子膜电解槽(3)与冷凝管(5)相通，冷凝管(5)分别与净化器(9)和气体收集装置(10)相通，净化器(9)与气体收集装置(10)相通；本发明同现有技术相比，通过该装置制备三氟化硼气体，制备过程工艺简单，成本低廉，容易操作，易于清理和维护，且得到的三氟化硼气体纯净无杂质，是一种理想的三氟化硼气体制备装置。
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公开(公告)号：CN105734613A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610297983.9
申请日：2016-05-06
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，具体为一种液相电沉积制备纳米银线的方法。本发明的具体步骤如下：以经过预处理的基体为阴极，以银片电极为阳极，以含有硝酸银和N?甲基吡咯烷酮的去离子水混合溶液为电解液，采用恒压电解的方式，在100V～300V电压，30～60℃温度下进行电解，在基体表面即得到纳米银线薄膜；采用本方法可连续得到纳米银线且纯度高，直径为40～60nm，银线长度为4～15μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105908220B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201610297982.4
申请日：2016-05-06
Applicant: 上海应用技术学院
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，具体为一种液相电沉积制备微纳米银枝晶的方法。本发明方法以经过预处理的基体为阴极，以银片片电极为阳极，以含有银盐和N‑甲基吡咯烷酮的去离子水溶液为电解液，采用恒压电解的方式，在2～50V的电压，30℃～60℃的温度下进行电解，在基体表面即得到微纳米银枝晶；其中：电解液中，所述N‑甲基吡咯烷酮的体积比浓度为10vol％～50vol％；采用本方法制备的银枝晶直径在60‑300nm，长度在10‑80μm。采用本方法制备的微纳米银枝晶形貌易于控制，操作简单。
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公开(公告)号：CN105908220A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610297982.4
申请日：2016-05-06
Applicant: 上海应用技术学院
CPC classification number: C25C5/02 , B22F1/0007
Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，具体为一种液相电沉积制备微纳米银枝晶的方法。本发明方法以经过预处理的基体为阴极，以银片片电极为阳极，以含有银盐和N?甲基吡咯烷酮的去离子水溶液为电解液，采用恒压电解的方式，在2～50V的电压，30℃～60℃的温度下进行电解，在基体表面即得到微纳米银枝晶；其中：电解液中，所述N?甲基吡咯烷酮的体积比浓度为10vol％～50vol％；采用本方法制备的银枝晶直径在60?300nm，长度在10?80μm。采用本方法制备的微纳米银枝晶形貌易于控制，操作简单。
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公开(公告)号：CN105803480B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610301967.2
申请日：2016-05-09
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C25B1/24
Abstract: 本发明涉及一种三氟化硼气体的制备方法，包括以下步骤：1)以惰性电极为阳极，以惰性电极为阴极，以氟硼酸钠和硼酸的混合水溶液为阳极液，以酸溶液、碱溶液或盐溶液为阴极液，在阳离子膜为隔膜的双室电解槽中，控制温度为60‑90℃，采用恒流电解或恒压电解的方式进行电解；2)电解过程中，控制气体流速稳定，产生的气体分别通过净化装置和收集装置进行收集，即得纯净的三氟化硼气体；本发明同现有技术相比，采用该方法获得的三氟化硼气体纯净无杂质，制备方法合理，工艺简单，成本低廉，条件温和，是一种理想的三氟化硼制备技术，解决了现有技术中制备三氟化硼气体的过程中反应温度很高，条件苛刻，反应过程复杂，成本高等技术问题。
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公开(公告)号：CN105970245A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610300831.X
申请日：2016-05-09
Applicant: 上海应用技术学院
CPC classification number: C25B1/245 , C01B35/061 , C25B9/00 , C25B13/08
Abstract: 本发明涉及一种制备三氟化硼气体的装置，包括阳离子膜电解槽(3)、净化器(9)及气体收集装置(10)，阳离子膜电解槽(3)为采用阳离子膜(1)作为隔膜的双室电解槽，阳离子膜电解槽(3)内通过阳离子膜(1)隔为阴极室(11)和阳极室(12)，阴极室(11)、阳极室(12)均设有进料口和出料口，阳离子膜电解槽(3)与冷凝管(5)相通，冷凝管(5)分别与净化器(9)和气体收集装置(10)相通，净化器(9)与气体收集装置(10)相通；本发明同现有技术相比，通过该装置制备三氟化硼气体，制备过程工艺简单，成本低廉，容易操作，易于清理和维护，且得到的三氟化硼气体纯净无杂质，是一种理想的三氟化硼气体制备装置。
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公开(公告)号：CN105803480A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610301967.2
申请日：2016-05-09
Applicant: 上海应用技术学院
IPC: C25B1/24
CPC classification number: C25B1/245
Abstract: 本发明涉及一种三氟化硼气体的制备方法，包括以下步骤：1)以惰性电极为阳极，以惰性电极为阴极，以氟硼酸钠和硼酸的混合水溶液为阳极液，以酸溶液、碱溶液或盐溶液为阴极液，在阳离子膜为隔膜的双室电解槽中，控制温度为60?90℃，采用恒流电解或恒压电解的方式进行电解；2)电解过程中，控制气体流速稳定，产生的气体分别通过净化装置和收集装置进行收集，即得纯净的三氟化硼气体；本发明同现有技术相比，采用该方法获得的三氟化硼气体纯净无杂质，制备方法合理，工艺简单，成本低廉，条件温和，是一种理想的三氟化硼制备技术，解决了现有技术中制备三氟化硼气体的过程中反应温度很高，条件苛刻，反应过程复杂，成本高等技术问题。
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