公开(公告)号：CN117966195A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202311847029.9

申请日：2023-12-29

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 董振标 ,  朱宇 ,  张伟业 ,  秦冬梅 ,  杨研 ,  牛旭 ,  陈梦 ,  李俊瑶

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/053 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C03C17/34

Abstract: 本发明涉及光电催化领域，具体涉及一种基于结效应的BiVO4三元复合光阳极的制备方法及应用，包括以下步骤：S1：先将FTO导电玻璃清洗、吹干备用；采用电沉积法在FTO上负载BiOI薄膜；S2：BiOI薄膜上加入V源，再转移至管式炉中在空气气氛中退火生成BiVO4薄膜，同时进行晶化处理；S3：通过化学浴沉积法将Co(OH)2负载到BiVO4薄膜上，并在空气气氛中退火得到BiVO4/Co3O4电极材料；S4：同样采用化学浴沉积法，在S3得到的电极材料上负载NiOOH/FeOOH，最后经过洗涤、干燥即可得到BiVO4/Co3O4/NiFe‑LDH三元复合光阳极材料。本发明通过p‑n结和OEC的协同作用，可有效抑制光生载流子的复合，促进电极表面水氧化反应的进行，相比本征BiVO4光阳极材料，三元复合光阳极材料的光电流密度提升了4.6倍。