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公开(公告)号:CN114864290A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210128687.1
申请日:2022-02-11
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种缺陷型‑金属掺杂氧化钛纳米管阵列超级电容器电极材料的制备方法,具体包括以下步骤:预处理干燥后的Ti‑Nb合金片经阳极氧化和热处理晶化后得到晶化态Nb掺杂氧化钛纳米管阵列,然后通过一步电化学还原法,得到Ti3+/氧空位与Nb共掺杂的氧化钛纳米管阵列,是一种缺陷型‑金属掺杂氧化钛超级电容器电极材料。本发明获得的Ti3+/氧空位与Nb共掺杂的氧化钛纳米管阵列,作为超级电容器电极材料具有高电荷传输效率、高比电容和高倍率性能的电化学特性,且有原料无毒,工艺可控,方便快捷,便于工业化生产等特点。
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公开(公告)号:CN114864290B
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202210128687.1
申请日:2022-02-11
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种缺陷型‑金属掺杂氧化钛纳米管阵列超级电容器电极材料的制备方法,具体包括以下步骤:预处理干燥后的Ti‑Nb合金片经阳极氧化和热处理晶化后得到晶化态Nb掺杂氧化钛纳米管阵列,然后通过一步电化学还原法,得到Ti3+/氧空位与Nb共掺杂的氧化钛纳米管阵列,是一种缺陷型‑金属掺杂氧化钛超级电容器电极材料。本发明获得的Ti3+/氧空位与Nb共掺杂的氧化钛纳米管阵列,作为超级电容器电极材料具有高电荷传输效率、高比电容和高倍率性能的电化学特性,且有原料无毒,工艺可控,方便快捷,便于工业化生产等特点。
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