一种离子敏场效应晶体管型pH传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115436447A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202211136668.X

    申请日:2022-09-19

    Abstract: 本发明涉及一种离子敏场效应晶体管型pH传感器及其制备方法,包括衬底(1)、绝缘层(2)、敏感膜为RuO2‑Ta2O5的有源层(3)、漏电极(4)以及源电极(5),具体制备步骤为在衬底(1)上制备绝缘层(2),在绝缘层(2)上通过涂覆制备敏感膜为RuO2‑Ta2O5的有源层(3),在有源层(3)上制备漏电极(4)和源电极(5),再将有源层(3)、漏电极(4)和源电极(5)通过环氧树脂封装形成传感器槽,即得到基于RuO2‑Ta2O5敏感膜的离子敏场效应晶体管型pH传感器。与现有技术相比,本发明采用RuO2和Ta2O5作为有源层的敏感膜材料,能够减小漂移;本发明所制备的pH传感器具有响应速度快、灵敏度高、稳定性好、体积小等优点,制备简单,可大规模生产,具有应用前景。

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