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公开(公告)号：CN117003572B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310959493.0
申请日：2023-08-01
IPC分类号： C04B35/78 , C04B35/573 , C04B35/622
摘要： 本发明提供了一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法，包括以下步骤：S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中，抽真空，在氮气保护下提升温度至950‑1000℃，并控制压力为5‑10kPa，通入丙烯，沉积30min‑2h，关闭丙烯的通入路径，完成PyC的沉积；S2、在步骤S1的基础上，继续将温度提升至1300‑1500℃，并控制压力为3‑10kPa，通入甲基三氯硅烷(MTS)和氢气，沉积10min‑1h，关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径，完成SiC的沉积，降温并将压力升至常压，得到PyC/SiC界面相。本发明的制备方法解决了目前制备的PyC/SiC多层界面相无法均匀沉积的问题。
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公开(公告)号：CN116514564A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310481530.1
申请日：2023-04-28
IPC分类号： C04B35/83 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种氧化石墨烯改性的碳/碳复合材料及其制备方法，所述方法包括如下步骤：将氧化石墨烯溶液喷涂在碳纤维表面后烘干获得单层氧化石墨烯预制体；将多个涂刷粘结剂的单层氧化石墨烯预制体叠加后固化获得多层氧化石墨烯预制体。将多层氧化石墨烯预制体进行碳化处理获得氧化石墨烯改性的碳/碳复合材料。本发明采用低含量的氧化石墨烯就科获得高电磁屏蔽效能(超过40dB)的碳/碳复合材料，成本低且方法简单。
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公开(公告)号：CN115259878B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211065009.1
申请日：2022-09-01
申请人： 上海大学 , 上海大学绍兴研究院 , 尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/628 , C04B35/84 , C04B35/58
摘要： 本发明公开一种抽滤掺杂工艺，具体为制备Ti3SiC2改性的SiCf/BN/SiBCN复合材料，包括以下步骤：首先先在SiC纤维的表面沉积BN界面，之后再用Ti3SiC2颗粒对其进行改性，得到所需要的SiC纤维，最后采用PIP工艺形成SiBCN基体，获得满足需要的SiCf/BN/SiBCN复合材料。本发明利用抽滤装置巨大的吸力来提供一个推动力，让含有Ti3SiC2颗粒物的悬浮液尽可能多地进入SiC纤维的孔隙中，进而最终改善复合材料的电磁屏蔽性能。
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公开(公告)号：CN115417699A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211067510.1
申请日：2022-09-01
申请人： 上海大学 , 上海大学绍兴研究院 , 尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司
IPC分类号： C04B41/89
摘要： 本发明公开一种PyC‑SiC‑HfC三界面相改性C/C‑SiBCN双基体抗烧蚀复合材料的制备方法，包括PyC‑SiC‑HfC界面相制备和C‑SiBCN基体制备，具体包括：(1)利用CVD工艺在碳纤维预制体的纤维表面制备PyC+SiC界面相得到带有一定厚度界面相的预制体；(2)将步骤(1)制得的预制体在HfC聚合物‑二甲苯溶液中多次浸渍，制得PyC‑SiC‑HfC三界面相改性碳纤维预制体材料；(3)通过CVI工艺制备C基体；(4)通过PIP工艺制备SiBCN改性基体；(5)固化裂解；(6)重复步骤(4)和(5)，最终得到C/PyC‑SiC‑HfC/C‑SiBCN复合材料。本发明采用一种PyC‑SiC‑HfC的三界面相互补耐高温体系，利用PyC良好的片层结构、HfC良好的抗烧蚀性能和SiC良好的热膨胀系数匹配能力来作为C/C‑SiBCN复合材料的界面相，以此来提高整个复合材料的抗烧蚀性能。
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公开(公告)号：CN113563097B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110978789.8
申请日：2021-08-25
IPC分类号： C04B35/83 , C04B35/622
摘要： 本发明提供了一种碳纤维预制体及其制备方法、碳/碳复合材料的制备方法，涉及复合材料技术领域。本发明提供的碳纤维预制体包括若干叠层设置的碳纤维布以及设置在两相邻碳纤维布之间的预应力层；所述预应力层包括硼酚醛树脂涂层以及分布在所述硼酚醛树脂涂层内的碳纤维束。本发明通过在2D叠层预制体中加入碳纤维束和硼酚醛树脂前驱体，形成预应力层，从而在碳化的过程中抵消内应力，得到具有更高强度、不易开裂的碳/碳复合材料。
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公开(公告)号：CN111592371B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010508372.0
申请日：2020-06-06
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/565 , H05K9/00
摘要： 本发明公开一种钛硅碳界面改性SiCf/SiC吸波复合材料及其制备方法，将碳化硅纤维预制体置于CVD炉恒温区内，在适合的温度范围内，采用化学气相渗透法在碳化硅纤维表面沉积钛硅碳界面层；然后将其置于含有聚碳硅烷和钛硅碳的浆料中进行浸渍，采用前驱体浸渍裂解法(PIP)制备陶瓷基复合材料。本发明制备出了含有Ti3SiC2界面的SiCf/SiC复合材料，工艺简单，成本低，且有效调控了吸波复合材料的介电常数，达到良好的吸波效果。
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公开(公告)号：CN117003572A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310959493.0
申请日：2023-08-01
IPC分类号： C04B35/78 , C04B35/573 , C04B35/622
摘要： 本发明提供了一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法，包括以下步骤：S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中，抽真空，在氮气保护下提升温度至950‑1000℃，并控制压力为5‑10kPa，通入丙烯，沉积30min‑2h，关闭丙烯的通入路径，完成PyC的沉积；S2、在步骤S1的基础上，继续将温度提升至1300‑1500℃，并控制压力为3‑10kPa，通入甲基三氯硅烷(MTS)和氢气，沉积10min‑1h，关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径，完成SiC的沉积，降温并将压力升至常压，得到PyC/SiC界面相。本发明的制备方法解决了目前制备的PyC/SiC多层界面相无法均匀沉积的问题。
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公开(公告)号：CN116675550A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310617548.X
申请日：2023-05-29
IPC分类号： C04B35/80 , H05K9/00 , C04B35/84 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B35/565
摘要： 本发明公开了一种电磁屏蔽复合材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)对碳纤维预制体进行表面预处理，随后将碳纤维预制体进行真空浸渍。(2)对浸渍后的CF进行CVD处理得到CNTs/CF预制体。(3)将CNTs/CF预制体作为基底，对预制体沉积基体并进行致密化处理，最终得到CNTs‑C/SiC复合材料。本发明提供的电磁屏蔽复合材料表现出优异的电磁屏蔽性能，在航空航天的电磁防护领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115259878A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211065009.1
申请日：2022-09-01
申请人： 上海大学 , 上海大学绍兴研究院 , 尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/628 , C04B35/84 , C04B35/58
摘要： 本发明公开一种抽滤掺杂工艺，具体为制备Ti3SiC2改性的SiCf/BN/SiBCN复合材料，包括以下步骤：首先先在SiC纤维的表面沉积BN界面，之后再用Ti3SiC2颗粒对其进行改性，得到所需要的SiC纤维，最后采用PIP工艺形成SiBCN基体，获得满足需要的SiCf/BN/SiBCN复合材料。本发明利用抽滤装置巨大的吸力来提供一个推动力，让含有Ti3SiC2颗粒物的悬浮液尽可能多地进入SiC纤维的孔隙中，进而最终改善复合材料的电磁屏蔽性能。
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公开(公告)号：CN113563097A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110978789.8
申请日：2021-08-25
IPC分类号： C04B35/83 , C04B35/622
摘要： 本发明提供了一种碳纤维预制体及其制备方法、碳/碳复合材料的制备方法，涉及复合材料技术领域。本发明提供的碳纤维预制体包括若干叠层设置的碳纤维布以及设置在两相邻碳纤维布之间的预应力层；所述预应力层包括硼酚醛树脂涂层以及分布在所述硼酚醛树脂涂层内的碳纤维束。本发明通过在2D叠层预制体中加入碳纤维束和硼酚醛树脂前驱体，形成预应力层，从而在碳化的过程中抵消内应力，得到具有更高强度、不易开裂的碳/碳复合材料。
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