公开(公告)号：CN115354394A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210901851.8

申请日：2022-07-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 任伟 ,  陈睿 ,  刘畅 ,  陈阳阳 ,  孔向阳 ,  张灵瑶

IPC: C30B29/12 ,  C30B7/02 ,  C30B7/08

Abstract: 本发明通过一种在溶液中生长Ge基钙钛矿单晶的方法及其应用，实现了基于混合酸溶液的钙钛矿单晶的制备，可用于AGeX3(A＝Rb、Cs，X＝Cl、Br、I)毫米级单晶的生长。该方法以氧化锗和卤化氢的水溶液、次磷酸混合反应并加入卤化铯或卤化铷的水溶液，加热至饱和后以卤化氢的水溶液及次磷酸为溶剂进行单晶静置生长一周后即可得到毫米级单晶。本发明针对Ge基钙钛矿在传统溶剂(DMSO/DMF)中难溶的问题提供了解决办法。并且该方法合成简单，成本低廉，合成的单晶质量高、尺寸大、缺陷密度低。通过改变X位的卤素配比可调控带隙，应用在太阳能电池、探测器、非线性光学等领域。

公开(公告)号：CN115558990A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211201265.9

申请日：2022-09-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 任伟 ,  陈睿 ,  孔向阳 ,  陈阳阳 ,  刘畅

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/12 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明公开了一种利用气相输运法制备GeI2单晶的方法，使用氧化锗、次磷酸、氢碘酸、碘化铯为原料进行CsGeI3的粉末合成，在石英管的底部放入CsGeI3粉末，对石英管进行氩气清洗后抽真空，抽真空后密封石英管；使用布里奇曼炉对石英管进行加热、保温，然后梯度降温即可在石英管冷区获得GeI2单晶，石英管底部所剩余的为碘化铯，并且这部分碘化铯可重新用于CsGeI3粉末的合成。本发明提供了一种流程简单、易于工业化生产、重复率高、产率高、单晶质量高、成本低廉的气相传输制备高质量GeI2单晶的方法。