公开(公告)号：CN104772449B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510088886.4

申请日：2015-02-27

Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 ,  上海大学

Inventor： 梁永纯 ,  任维丽 ,  钟万里 ,  聂铭 ,  黄丰 ,  刘彬 ,  胡治宁 ,  丁彪 ,  钟云波 ,  雷作胜

IPC: B22D27/02

Abstract: 降低定向凝固铸件中通道偏析缺陷的方法和装置，所述降低定向凝固铸件中通道偏析的方法包括步骤如下：将进行定向凝固的熔体放入磁场中，使其在磁场中凝固成铸件。采用本发明的方法完成的铸件定向凝固，可大大降低铸件中通道偏析缺陷的数量。

公开(公告)号：CN104818519A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510189486.2

申请日：2015-04-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 任维丽 ,  刘彬 ,  张礼峰 ,  周艳 ,  胡治宁 ,  钟云波 ,  雷作胜 ,  任忠鸣

IPC: C30B11/00 ,  C30B30/04 ,  C30B29/10 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了一种改善非线性光学晶体ZnGeP2性能的方法，将合成好的ZnGeP2多晶原料置于超导强磁体匀强磁场和梯度磁场中进行定向生长，具体步骤为：缓慢升温至1070℃，待多晶料熔化后保温8h后，进行定向凝固，晶体生长速度为0.5μm/s，生长40h后缓慢降温，得到外观完整、裂纹少的ZnGeP2单晶体，其光学和电学性能较无磁场下有明显改善。

公开(公告)号：CN104772449A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510088886.4

申请日：2015-02-27

Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 ,  上海大学

Inventor： 梁永纯 ,  任维丽 ,  钟万里 ,  聂铭 ,  黄丰 ,  刘彬 ,  胡治宁 ,  丁彪 ,  钟云波 ,  雷作胜

IPC: B22D27/02

CPC classification number: B22D27/02

Abstract: 降低定向凝固铸件中通道偏析缺陷的方法和装置，所述降低定向凝固铸件中通道偏析的方法包括步骤如下：将进行定向凝固的熔体放入磁场中，使其在磁场中凝固成铸件。采用本发明的方法完成的铸件定向凝固，可大大降低铸件中通道偏析缺陷的数量。

公开(公告)号：CN203705629U

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201420001535.6

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 任维丽 ,  刘洪玉 ,  周艳 ,  胡治宁 ,  钟云波 ,  董立城 ,  任忠鸣

IPC: G01R33/16

Abstract: 本实用新型公开了一种高温下测量物质磁化率的装置，将样品管悬挂在筒形硅碳管加热体形成的炉体内腔中，在筒形硅碳管加热体外围包裹着保温层，使炉体内腔中形成均匀温度场，控温仪与热电偶信号连接，热电偶的温度测试端安装于靠近样品管的炉体内腔区域中，控温仪的控制模块直接控制筒形硅碳管加热体的加热功率，样品管为刚玉制坩埚，样品管悬吊于电子天平的下方，磁场发生器通过超导强磁体在样品管所处区域产生磁场梯度积稳恒区域，使装入样品管中的被测试样完全处于磁场发生器形成的磁场梯度积稳恒区域中。本实用新型可测量出物质在不同高温下的磁化率数据，其最高温度可达到1400℃，还能测量物质磁化率随温度的变化，可控性强，容易操作。